IBM показала первый в индустрии прототип PCIe-накопителя на памяти PCM

Как и многие другие лидеры рынка полупроводников, компания IBM изучает возможности такой энергонезависимой памяти, как память на основе эффекта обратимой смены состояния вещества — phase change memory (PCM). Под действием высокого тока вещество в ячейке меняет состояние на аморфное, что соответствует записи "0", а меньшие токи возвращают ячейку в кристаллическое состояние (токопроводимое), отвечая за запись "1". Совсем малые токи позволяют определить фазовое состояние материала и фактически считать записанные данные. Разработкой памяти PCM компания IBM занимается с начала 2000-х годов, кооперируясь в своё время, к примеру, с компаниями Infineon и Macronix.



Не так давно компания IBM показала прототип первого энергонезависимого накопителя с шиной PCI Express на основе памяти PCM. Демонстрация состоялась на мероприятии Non-Volatile Memory Workshop 2014. Плата с памятью выглядит не по-современному огромной. Следует, однако, понимать, что выпускаемые промышленно микросхемы памяти PCM всё ещё страдают такой детской болезнью, как малая ёмкость. Так что для создания прототипов с каким-то вменяемым объёмом требуется целая батарея микросхем.




Самое ценное в прототипе PCM-накопителя IBM — это полученные в ходе тестирования результаты сравнения производительности современных SSD на флэш-памяти NAND-типа и PCIe-накопителя на памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества. Научные партнёры компании IBM из греческого университета в городе Патры выяснили, что по скорости обращения к данным корпоративные SSD отстают от PCM-накопителей в 12 раз, а клиентские SSD оказываются медленнее в 275 раз. А ведь есть ещё беспрецедентная устойчивость к износу, которой не могут похвастаться накопители на основе NAND-флэш. Так, среднестатистическая ячейка PCM выдерживает до 10 млн. перезаписей. Если при этом использовать механизму коррекции ошибок, то устойчивость к износу можно довести до 10 трлн. операций стирания.

Из других практических результатов специалисты выяснили, что выпущенная в рамках 90-нм техпроцесса PCM-память IBM на частоте 66 МГц записывает "0" за 70 нс, а "1" — за 120 нс. По своим скоростным характеристикам память PCM приближается к возможностям обычной оперативной DRAM-памяти, но при этом она не теряет данные в момент отключения питания. Ввиду малой ёмкости современных микросхем PCM считается, что вначале они послужат основой для создания энергонезависимых кэш-буферов в составе SSD и только в последующем появятся коммерческие накопители, полностью основанные на PCM-микросхемах.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 52

Комментарии 25 Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают