Как сообщает Computerbase, Samsung на мероприятии Tech Day 2021 продемонстрировала свою дорожную карту по развитию оперативной памяти. К сожалению, Samsung не разрешила снимать и публиковать слайды или фотографии мероприятия. Компания поделилась планами развития на ближайшие годы.

 Хотя стандарты для памяти DDR6 следующего поколения еще окончательно не утверждены JEDEC, уже ведется работа по созданию памяти следующего поколения. Samsung объявила, что стандартная скорость DDR6, как ожидается, достигнет 12800 МТ/с, в то время как разогнанная память DDR6 может достичь показателей около 17000 МТ/с. В сочетании с ожиданием удвоения каналов памяти DDR6 и четырехкратного увеличения чипов памяти, DDR6 должна обеспечить невероятный скачок чистой пропускной способности и объема памяти. Версия DDR6 с низким энергопотреблением DDR6LP будет обеспечивать те же рабочие скорости, но при меньшем потреблении энергии на 20%.

 Samsung также в настоящее время также разрабатывает более производительную память GDDR6+ со скоростью до 27 Гбит/с, за которой должна последовать GDDR7. Хотя в настоящее время у технологии нет даже примерной даты выхода, Samsung ожидает, что GDDR7 будет иметь скоростные показатели до 32 Гбит/с, что почти вдвое превышает максимальную пропускную способность, доступную для GDDR6.

 Кроме того, Samsung подтвердила, что разработка HBM3 идет в соответствии с графиком. Компания не уточнила характеристики памяти, а упомянула только, что её выход на рынок ожидается во втором квартале 2022 года. Samsung использует другой подход к HBM3, чем другие производители памяти. SK Hynix, например, разрабатывает микросхемы памяти емкостью 24 ГБ со скоростью передачи данных 6,4 Гб/с и 1024-битным интерфейсом, обеспечивая пропускную способность до 819 ГБ/с. Samsung со своей стороны рассматривает технологию Hybrid-Substrate Cube (H-Cube). Она направлена главным образом на снижение производственных затрат и упаковки HBM3.