О разработке GDDR7 памяти компания Samsung сообщала ещё в прошлом году, ожидается, что её скорость достигнет 36 Гбит/с. На одном из недавних мероприятий стало известно, что в GDDR7 используется импульсно-амплитудная модуляция PAM3, а не PAM2 или NRZ (Non-Return to Zero), применяемая в GDDR6, что позволило повысить энергоэффективность на 25%. Об этом со ссылкой на презентацию Samsung сообщает журналист и аналитик Ян Катресс (Ian Cutress) в своём Twitter* @IanCutress.

Ранее специалист рассматривал разные методы модуляции в статье на ресурсе AnandTech, объясняя, что NRZ позволяет передавать 1 бит за такт, PAM4 два бита за такт, а PAM3 — 3 бита за два такта, располагаясь по скорости передачи данных между NRZ и PAM4, но положительно выделяясь относительно последнего отсутствием ряда ограничений. Стоит отметить, что PAM4 используется в GDDR6X памяти, совместно разработанной NVIDIA и Micron. Так в видеокарте NVIDIA GeForce RTX 4080 используются чипы GDDR6X 22,4 Гбит/с, конкурент в лице AMD Radeon RX 7900 XTX использует GDDR6 20 Гбит/с. Ожидается, что скоростным пределом GDDR6 станет 24 Гбит/с — образцы таких чипов уже выпускает и тестирует Samsung.

Недавно Samsung объявила о разработке GDDR6W — новой модификации GDDR6, которая предложит в два раза большую ёмкость и пропускную способность за счёт трёхмерной упаковки двух пар микросхем памяти в одном корпусе.

Источник:

@IanCutress в Twitter*

TechPowerUp

* заблокирован в РФ