реклама
Samsung рассказала о разработке следующего поколения мобильных флэш-накопителей по новому стандарту Universal Flash Storage (UFS) версии 4.0. Компания говорит об увеличении скоростных показателей до двух раз: скорость на линию увеличилась до 23,2 Гбит/с, а для последовательного чтения и записи накопителей производитель приводит значения 4200 и 2800 МБ/с соответственно. Такого уровня удалось достичь с фирменным контроллером и 176-слойной памятью Samsung V-NAND 7-го поколения.
Новые технологии и стандарты позволяют увеличивать не только скоростные показатели для поддержки отрасли в условиях непрерывного роста объёмов обрабатываемых данных, но и энергоэффективность — для UFS 4.0 компания приводит удельную скоростную характеристику 6,0 МБ/с на миллиампер, сообщая о 46% преимуществе, по сравнению с UFS 3.1. При всём при этом накопители остаются очень маленькими, размеры корпуса не превысят 11×13×1 мм
реклама
Samsung запланировала начало массового производства накопителей UFS 4.0 объёмом до 1 ТБ включительно на третий квартал этого года. Вероятно, это означает, что устройства с памятью нового стандарта появятся на рынке в конце этого года или начале следующего, предполагает Neowin.
- Источник:
- Samsung Semiconstory
- Neowin
