Накануне JEDEC утвердила новый стандарт оперативной памяти LPDDR5/X, акцентируя внимание на росте производительности, энергоэффективности и надежности для продвижения в мобильных устройствах связи 5G и приложений искусственного интеллекта, увеличивающих объем обрабатываемых данных. Быстрый накопитель также играет ключевую роль в продвижении этих технологий и сегодня Micron объявила, что первой в отрасли начинает поставки мобильной флэш-памяти UFS 3.1 с 176-слойной 3D NAND.

Предыдущее поколение мобильной флэш-памяти Micron в одном кристалле содержало 96 слоев. Для оценки увеличения производительности компания приводит пример с загрузкой двухчасового 4K видео объемом около 14 ГБ за 9,3 секунды. Это возможно благодаря на 75% более высокой относительно предыдущего поколения скорости последовательной записи. Абсолютная величина скорости последовательной записи достигает 1500 МБ/с.

Среди других относительных показателей:

• на 70% более высокая производительность произвольного чтения
• на 15% более высокая производительность смешанных рабочих нагрузок
• примерно на 10% меньшая задержка при запуске и переключении приложений
• до двух раз больший показатель TBW

Флэш память доступна в вариантах емкостью 128, 256 и 512 ГБ. Первым смартфоном, использующим UFS 3.1 накопитель со 176-слойной памятью Micron, станет HONOR Magic 3, презентация которого намечена на 12 августа.