samsung.com

Компания Samsung Electronics на конференции NVIDIA GTC (GPU Technology Conference), посвященной технологиям графических процессоров, анонсировала новый тип памяти с высокой пропускной способностью HBM2E, который призван вывести на высочайший уровень производительности суперкомпьютеры следующего поколения, графические системы и искусственный интеллект.

Новое решение, под названием Flashbolt, является первым в отрасли HBM2E, обеспечивающим скорость передачи данных 3,2 гигабит в секунду, что на 33 % быстрее HBM2 предыдущего поколения. Flashbolt имеет плотность 16 Гб на кристалл, что вдвое больше, чем у предыдущего поколения. Благодаря этим улучшениям один пакет Samsung HBM2E обеспечит пропускную способность 410 гигабайт в секунду.

«Лидирующая в отрасли производительность Flashbolt позволит создавать усовершенствованные решения для центров обработки данных следующего поколения, искусственного интеллекта, машинного обучения и графических приложений»

«Мы будем продолжать увеличивать производство и поставки DRAM премиум-класса для удовлетворения потребностей рынка в высокопроизводительной, энергоэффективной памяти».

Джинман Хан (Jinman Han), старший вице-президент группы планирования и разработки приложений в Samsung Electronics.

Источник: портал businesswire.com