SK hynix начала массовое производство трёхуровневой флэш-памяти 4D NAND ёмкостью 1 терабайт (1 ТБ), сообщает Guru3D. Эта разработка следует за предыдущим достижением компании — выпуском первой в отрасли 238-слойной флэш-памяти NAND в июне прошлого года. Теперь SK hynix позиционирует себя как первый в мире поставщик, предлагающий флэш-память NAND с количеством слоёв более 300. Укладка более 300 слоёв стала возможной благодаря разработке новых материалов и внедрению новых технологий, в частности, технологии SK hynix 3-Plug formation. Поставки новой 321-слойной флэш-памяти клиентам начнутся в первой половине следующего года.
Источник изображения: SK hynix
SK hynix планирует постепенно расширять область применения 321-слойной флэш-памяти, в первую очередь ориентируясь на приложения искусственного интеллекта (ИИ), которые требуют низкого энергопотребления и высокой производительности. Относительно предшественника новая память обеспечит повышение скорости передачи данных на 12% и скорости чтения на 13%, более чем на 10% повышается энергоэффективность чтения данных.
Новое достижение приближает компанию к лидерству на рынке твердотельных накопителей для ИИ, отметил руководитель отдела разработки NAND флэш-памяти в SK hynix Джундал Чой (Jungdal Choi). SK hynix продвигается к тому, чтобы стать комплексным поставщиком памяти для области ИИ, расширяя свое портфолио как в секторе высокопроизводительной NAND, так и DRAM памяти с передовой High Bandwidth Memory (HBM).
