Компания Samsung Electronics объявила о разработке первой в отрасли памяти GDDR7 ёмкостью 24 гигабита (Гбит) или 3 гигабайта (ГБ). Для производства используется технология класса 10-нанометров (нм), плотность ячеек выросла на 50% при прежних размерах корпуса. Память ориентирована на широкое применение в различных сегментах, включая потребительские игровые видеокарты и консоли, центры обработки данных.

Источник изображения: Samsung Electronics

Компания намеревается достичь скорости 40 гигабит в секунду (Гбит/с) с возможностью повышения до 42,5 Гбит/с в зависимости от области применения. В числе других преимуществ минимизация утечек тока, повышение энергоэффективности более чем на 30%.

Проверка чипов памяти GDDR7 по 3 ГБ в вычислительных системах искусственного интеллекта начнётся в этом году, а коммерциализация — в начале следующего года.

В качестве примера: видеокарту высокого класса с поддержкой 256-битного интерфейса памяти можно будет оснастить 24 ГБ GDDR7, а более доступные решения со 128-битной шиной — 12 ГБ памяти. Большая скорость чипов также позволит увеличить общую пропускную способность памяти.