Компания SK hynix Inc. объявила о разработке первой в мире 238-слойной памяти NAND Flash, первые образцы которой уже отправила клиентам. 238-слойная память выполнена по технологии TLC 4D NAND, а её массовое производство планируется начать в первой половине 2023 года. Предыдущим достижением компании был выпуск 176-слойной памяти NAND в декабре 2020 года. Примечательно, что новейший 238-слойный продукт является одновременно и самым многослойным, и наименьшим по площади. Анонс новинки состоялся на проходящем в настоящее время в Санта-Кларе мероприятия Flash Memory Summit 20222.

 "SK Hynix обеспечила конкурентоспособность на мировом уровне с точки зрения стоимости, производительности и качества, представив 238-слойный продукт на основе своих технологий 4D NAND. Мы продолжим инновации, чтобы найти прорыв в технологических задачах", — сказал Юнгдал Чой, руководитель отдела разработки NAND в SK Hynix, в своем программном выступлении на мероприятии.

 С момента разработки 96-слойного продукта NAND в 2018 году SK Hynix представила серию 4D-продуктов, которые превосходят существующие 3D-продукты. Компания применила технологии flash3 и per under cell4 для изготовления чипов с 4D-структурами. Новейшие продукты компании имеют меньшую площадь ячеек на единицу по сравнению с 3D, что приводит к более высокой эффективности производства.

 Память с максимальным на данный момент количеством слоев имеет наименьший размер NAND, что означает увеличение общей производительности на 34% по сравнению с 176-слойной NAND, поскольку из каждой пластины можно производить больше чипов с более высокой плотностью на единицу площади.

 Скорость передачи данных 238-слойной памяти составляет 2,4 Гбит/с, что на 50 процентов больше, чем у предыдущего поколения. Объем энергии, потребляемой для чтения данных, снизился на 21%, что также соответствует обязательствам компании.

 238-слойная продукция будет сначала применяться в пользовательских твердотельных накопителях, которые используются в качестве устройств хранения данных для ПК, а затем будет предоставлена для смартфонов и твердотельных накопителей большой емкости для серверов. В следующем году компания также обещает представить 238-слойные продукты емкостью 1 терабит, плотность которых удвоится по сравнению с текущими 512 Гбит.