Платим блогерам
Блоги
goldas
SK hynix заявляет, что благодаря новым модулям памяти центры обработки данных смогут экономить до 30% на счетах за электричество

 10-нм технология, возможно, является устаревшей для процессоров, но для DRAM она по-прежнему остается передовой. Компания SK hynix объявила о разработке первой в мире DRAM DDR5 шестого поколения на базе 10-нм техпроцесса. Сообщается, что массовое производство будет запущено в этом году, а официальные поставки начнутся в следующем году.

 DRAM DDR5 6-го поколения SK Hynix, получившая название «1c process», представляет собой эволюцию технологического процесса 1b, созданного на основе 10-нм литографического процесса. 1c станет первыми модулями DRAM объемом 16 ГБ от SK Hynix, которые, как сообщается, на 11% быстрее, чем аналог предыдущего поколения, и на 9% более энергоэффективны. Компания SK Hynix полагает, что благодаря энергоэффективности 6-го поколения счета за электроэнергию в центрах обработки данных могут быть снижены до 30%.

Может быть интересно

 SK Hynix также увеличила свои производственные мощности более чем на 30% за счет DDR5 DRAM шестого поколения благодаря использованию нового материала в некоторых процессах EUV и оптимизации всего EUV-совместимого конвейера, что повысило экономическую эффективность.

 «Мы стремимся предоставлять клиентам дифференцированные преимущества, применяя технологию 1c, обеспечивающую наилучшую производительность и конкурентоспособность по цене, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7. Мы продолжим работать над сохранением лидерства в сфере DRAM и позиции самого надежного поставщика решений для памяти для искусственного интеллекта», — сказал вице-президент по разработке DRAM Ким Джонхван.

 Новейшая 10-нм технология DRAM от SK Hynix поможет сохранить конкурентоспособность продукции памяти до тех пор, пока производитель не перейдет на более совершенные производственные нормы. Сообщается, что SK Hynix работает над технологией 3D DRAM, которая значительно улучшит плотность микросхем DRAM будущего поколения по сравнению с предыдущими архитектурами и, наконец, доведет литографию DRAM до уровня менее 10 нм.

 Однако до появления этой технологии 3D DRAM еще несколько лет, поэтому SK Hynix все еще разрабатывает и совершенствует свою более традиционную DRAM DDR5 10-нм класса.

Источник: tomshardware.com
+
Написать комментарий (0)
Теперь в новом формате

Наш Telegram-канал @overclockers_news
Подписывайся, чтобы быть в курсе всех новостей!

Популярные новости

Сейчас обсуждают