Следующий флагманский смартфон Realme поступит в продажу 28 августа в Китае. Ожидается, что Realme GT 5 будет использовать ту же технологию экстремальной зарядки мощностью 240 Вт, что и его предшественник. Устройство, как утверждается, имеет совершенно новую отделку «miracle Glass» на задней панели, хотя точно неизвестно, что здесь имеется в виду. Пока поклонники компании ждут запуска, Realme GT 5 появился на веб-сайте Geekbench, косвенно подтвердившим наличие чипсета Snapdragon 8 Gen 2.

 Предстоящий смартфон Realme GT 5, обозначенный номером модели RMX3820 в базе данных Geekbench раскрыл некоторые примечательные характеристики. Устройство, работающее под управлением операционной системы на базе Android 13, имеет материнскую плату чипа под кодовым названием «Kalama».

 Чипсет использует архитектуру ядер 1+4+3. Основное ядро работает на частоте 3,19 ГГц, тогда как производительные ядра поддерживают тактовую частоту 2,8 ГГц, а эффективные ядра работают на частоте 2,02 ГГц. Вероятно, это чипсет Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2. Он включает в себя графический процессор Adreno 740 и предлагает вариант с 16 ГБ оперативной памяти.

 Предполагается, что Realme GT 5 имеет 6,74-дюймовую OLED-панель с разрешением 1,5K и частотой обновления 144 Гц. Телефон может предлагаться с несколькими вариантами системы хранения, начиная от 128 ГБ и заканчивая 1 ТБ. Устройство также может поставляться с двумя вариантами батареи: емкостью 4600 мАч с зарядкой 240 Вт и емкостью 5200 мАч с зарядкой мощностью 150 Вт.