На конференции Hot Chips 33 Samsung Electronics заявили, что начнут массовое производство 8-слойной памяти DDR5 в конце следующего года. Для модуля памяти DDR5 объемом 512 ГБ они будут применять технологию TSV. Ранее компания использовала 4-слойную технологию TSV для DDR4, в результате чего толщина чипа составляла всего 1,2 мм. По заявлению Samsung, новый модуль DDR5 будет иметь толщину в 1мм, несмотря на то, что будет иметь 8 слоев. Компания использовала технологию обработки более тонких пластин, чтобы уменьшить расстояние между матрицами. По словам Samsung, новая DDR5 также будет иметь лучшую функцию охлаждения по сравнению с DDR4. Это станет возможным, благодаря применению материалов high-k. Samsung будет применять свою собственную ИС управления питанием для снижения шума и обеспечения работы микросхемы при более низком напряжении. DDR5 будет иметь скорость передачи данных 7,2 Гбит/с. Samsung также применила технологию, называемую эквалайзером с обратной связью, для увеличения скорости передачи данных и поддержания стабильных сигналов. Модуль предназначен для центров обработки данных и серверов, добавили в компании.