Компания Samsung разработала план по созданию 1000-слойной NAND к 2030 году используя новый дизайн "multi-BV" NAND. Однако структурные ограничения представляют проблему, поэтому компания планирует использовать технологию склеивания четырех пластин для достижения этой цели. Склеивание пластин позволит раздельно производить периферийные и ячеечные пластины, а затем соединять их в один полупроводник.
Эта технология склеивания пластин, вероятно, будет внедрена в NAND 10-го поколения (V10) от Samsung, исходя из сообщения The Bell. Отраслевые эксперты указывают, что одна пластина может содержать около 500 слоев NAND, используя только ячеистые структуры. Однако Samsung в настоящее время использует технологию COP (Cell on Peripheral), где периферийная схема размещена на одной пластине, а ячейки NAND укладываются сверху. По мере увеличения количества слоев NAND, нижние периферийные части оказываются под давлением, что может повлиять на надежность.

В рамках плана развития 1000-слойной NAND Samsung намеревается сотрудничать с китайской компанией YMTC, которая предложит патент на гибридное соединение для V10 NAND. Ожидается, что Samsung начнет массовое производство V10 NAND во второй половине 2025 года со слоями в диапазоне от 420 до 430. Однако компания также планирует внедрить другие технологии, такие как холодное травление с использованием молибдена, чтобы усилить свой план производства NAND.