Долгое время Intel оставалась лидером в производстве полупроводников на планете. Именно усилиями этой американской компании были совершены ключевые прорывы в создании технологических процессов, но никто не может быть первым всегда. Сегодня лидером считается тайваньская TSMC, способная выпускать решения согласно 3-нм технологическому процессу. У компании есть планы по переходу на 2-нм и даже 1-нм нормы, но пока это дело ближайших лет. Что до Intel, то несколько дней назад синие выпустили новую серию настольных процессоров Raptor Lake Refresh, созданных по 10-нм технологическим нормам. Представители американской компании уверяют, что 10-нм техпроцесс на самом деле соответствует 7-нм от TSMC, тогда как уже в 2024 году будет совершён переход на архитектуру Meteor Lake. Именно там появится 7-нм техпроцесс, соответствующий 5-нм от тайваньской компании. Мало того, Intel не собирается сидеть сложа руки, предпринимая как маркетинговые, так и производственные меры. К примеру, было решено переименовать 10-нм техпроцесс в I7, ну а полноценные 7-нм нормы будут называться I5. Кроме того, существует дорожная карта, в рамках которой будут разработаны I20A и I18A, указывающие на переход к 2-нм и менее технологическим процессам.
По мнению TSMC, в заявлениях Intel больше маркетинговой составляющей, а собственная технология N3P (3 нанометра) предоставит аналогичные возможности по масштабируемости с решениями I18A. При этом уже следующее поколения N2 (2 нанометра) обеспечит превосходство как по масштабируемости, так и по энергоэффективности. В итоге можно будет создавать более мощные решения, использующие меньшую площадь кристалла по сравнению с аналогами Intel. По информации генерального директора TSMC, информация озвучена на основе внутренних оценок. При этом решения тайваньской компании окажутся на рынке раньше, а значит речь идёт о более зрелой технологии, обладающей выгодной стоимостью. Глава TSMC уверен, что 2-нм технологии окажутся настоящим вызовом для полупроводниковых гигантов, но его компания сохранит лидерство и здесь.
Напомним, Intel планирует представить собственный 2-нм технологический процесс I20A к концу 2024 года, тогда как более зрелый I18A появится уже в 2025. Известно, что 2-нм решения Intel основаны на транзисторах RibbonFET с круговым затвором и сети питания BSPDN. Эти технологии предназначены для повышения производительности, снижения энергопотребления и увеличения плотности транзисторов. Что до I18A, соответствующие 1.8-нм технологическому процессу, то там ожидаются дополнительные улучшения, позволяющие добиться ещё более значительных успехов в масштабировании транзисторов. Что до TSMC, то все 3-нм производственные процессы (N3, N3E, N3P и N3X) основаны на транзисторах FinFET и традиционной сети подачи питания. Похоже, крупнейший литейный завод в мире не спешит внедрять нанолистовые транзисторы GAA и BSPDN, а первый из них будет использоваться в процессе N2 TSMC, который начнёт массовое производство во второй половине 2025 года, в то время как второй добавится к N2P, а массовое производство начнётся в конце 2026 года.
Как уже было сказано выше, одна из главных целей Intel, которую компания попытается достичь в ближайшие годы, заключается в опережении TSMC в области технологического лидерства и привлечении заказов на производство от компаний, нуждающихся в передовых технологических узлах. Для этого Intel планирует внедрить три передовых производственных процесса в течение следующих пяти кварталов и начать массовое производство технологий 2-нм и 1.8-нм класса во второй половине 2024 года или первой половине 2025 года. Представители TSMC относятся к подобным планам скептически, а эксперты предлагают дождаться появления первых готовых решений Intel. Сложно поверить, что возможно совершить такой стремительный прыжок, ведь сегодня даже учитывая маркетинговую составляющую оценки технологических процессов и компании в наличии только 7-нм нормы.
