В рамках мероприятия  ISSCC 2023 представители компании SK Hynix, входящей, наряду с Samsung и Micron, в «большую тройку» производителей памяти, отчитались о создании первой в мире памяти 3D NAND с более, чем 300 слоями. Помимо рекордной плотности записи, она обладает и повышенной пропускной способностью – до 194 МБ/с на чип против 164 МБ/с на чип в случае решений предыдущего поколения.

Представленный SK Hynix прототип чипа состоит из трехбитовых ячеек, то есть, проще говоря, относится к TLC-памяти, а его емкость составляет 1 Тбит. Для повышения производительности памяти инженеры использовали сразу пять разных методов, направленных на увеличение скорости чтения, записи и стирания данных. Когда именно чипы памяти с более, чем 300 слоями начнут выпускаться массово – пока неизвестно, но, как предполагают эксперты, это произойдет не раньше начала 2024 года, в текущем же году SK Hynix продолжит предлагать чипы с 230-240 слоями. Выпуском подобных чипов, пусть и несколько разнящихся по характеристикам, уже занимаются все основные производители памяти в мире, и даже некоторые компании, традиционно относимые аналитиками ко «второму эшелону», например, YTMC.