Память DDR5 стала популярной всего несколько месяцев назад, но Samsung уже находится на ранней стадии разработки памяти DDR6 следующего поколения.
Во время семинара в Сувоне, Южная Корея, вице-президент Samsung по тестированию и системным пакетам (TSP) рассказал, что технология упаковки должна развиваться по мере увеличения производительности самой памяти в будущем. Компания подтвердила, что уже находится на ранних стадиях разработки своей памяти DDR6 следующего поколения, в которой будет использоваться технология MSAP.
По заявлению Samsung, MSAP уже используется ее конкурентами (SK Hynix и Micron) в DDR5. Так что же нового в MSAP? Что ж, MSAP или модифицированный полуаддитивный процесс позволяет изготовителю DRAM создавать модули памяти с более оптимизированными схемами. Это достигается за счет покрытия рисунков цепей в местах, которые показывают лучшее соединение и более высокую скорость передачи. Следующее поколение памяти DDR6 будет использоваться не только для расширения цепей MSAP, но и с увеличенным коэффициентом усиления, который будет включен в память DDR6.
Samsung ожидает, что ее дизайн DDR6 будет завершен к 2024 году, но коммерческое использование не ожидается раньше 2025 года. Что касается технических характеристик, память DDR6 будет в два раза быстрее, чем существующая память DDR5, со скоростью передачи до 12 800 Мбит/с (JEDEC). ) и скорость разгона превышает диапазон 17 000 Мбит/с. В настоящее время самый быстрый модуль памяти DDR5 DIMM от Samsung имеет скорость передачи данных до 7200 Мбит/с, что является 1,7-кратным улучшением для JEDEC и 2,36-кратным улучшением при разгоне для чипов памяти следующего поколения.
