Южнокорейское издание IT Chosun опубликовало статью, согласно которой из-за недостаточно высокого уровня выпуска годных чипов DRAM на техпроцессе 10 нм Samsung может остановить промышленное производство памяти HBM следующего поколения. Технология уже получила предварительное разрешение, но возникли опасения относительно рентабельности пробного запуска, а тем более промышленного производства в больших масштабах.

Знакомый с работой Samsung Electronics источник рассказал, что компания не достигает нужного уровня выпуска годных микросхем D1d. В настоящее время Samsung работает над повышением процента выпуска годных чипов и пересматривает технологические планы.

Технология D1 DRAM производства Samsung играет главную роль в будущих планах компании по разработке памяти HBM. Эта технология должна найти применение в составе HBM5E девятого поколения.

Изображение: Gemini

Сейчас 1c DRAM используется в памяти HBM4, HBM4E и HBM5 производство Samsung. HBM4 должна быть выпущена в этом году и войти в состав платформы NVIDIA Vera Rubin и AMD MI400. HBM4E ожидается в ускорителях Rubin Ultra и MI500. Войдёт в состав линейки NVIDIA Feynman.

На днях появлялась новость о том, что Samsung сокращает цикл разработки памяти HBM с двух лет до одного. Теоретически это должно ускорить производство, если всё пройдёт по плану. В реальности циклы разработки и производства могут не совпадать.

Тем временем Samsung Electronics вкладывает средства в строительство крупного завода по производству чипов в Южной Корее. Предприятие на площади четырёх футбольных полей будет производить память DRAM следующего поколения, в том числе HBM. Оно будет отвечать за упаковку, тестирование, логистику и контроль качества.