Компания Samsung Electronics разработала новый стандарт памяти GDDR6W в целях удовлетворения стремительно растущих требований к объёму и пропускной способности таких областей, как виртуальная реальность (метавселенные и цифровые двойники), графически-передовые компьютерные игры с трассировкой лучей.
Для производства памяти GDDR6W используется технология корпусировки Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая позволяет разместить в одном корпусе в два раза больше микросхем памяти — ещё две микросхемы DRAM на втором ярусе, что наглядно показано на изображении разреза корпуса. Площадь, занимаемая корпусом GDDR6W, остаётся такой же, как у GDDR6, что ускорит интеграцию нового типа памяти в производство, а ёмкость, пропускная способность и количество операций ввода-вывода увеличится вдвое. По пропускной способности GDDR6W приближается к HBM2E, 1,4 ТБ/с против 1,6 ТБ/с, при этом GDDR6W требует меньше затрат при производстве продуктов — за счёт в 8 раз меньшего количества I/O отпадает необходимость в применении более дорогой конструкции с кремниевыми интерпозерами и микровыступами.
В технологии упаковки FOWLP отказались от печатной платы в основании корпуса памяти, заменив её на кремниевую подложку. Две такие подложки с двумя микросхемами DRAM на каждой располагаются одна над другой за счёт применения технологии трёхмерной упаковки 3D IC. Технология под названием RDL (Re-distribution layer) также позволила создать схемы разводки с множеством тонких соединений. В результате, высота корпуса GDDR6W меньше, чем у GDDR6, 0,7 мм против 1,1 мм, это позволило сохранить неизменными тепловые характеристики.
Стандартизация JEDEC для GDDR6W завершена и следующим этапом является применение памяти в компактных устройствах, в частности, ноутбуках, а также в новых ускорителях вычислений.
- Источник:
- Samsung Electronics
- TechPowerUp
