реклама
Немецкий ресурс Computer Base продолжает рассказывать о технологических планах компании Samsung, которые были озвучены на онлайн мероприятии южнокорейского производителя Tech Day 2021. Ранее обсуждались планы Samsung в отношении памяти DDR6, GDDR6+ с пропускной способностью 24 Гбит/с на контакт, GDDR7 и HBM3. Теперь ресурс Computer Base пролил свет на будущее технологии трехмерной компоновки флэш памяти Samsung V-NAND (Vertical NAND).
Восьмое поколение Samsung V-NAND V8 будет содержать более 200 слоев, планируется два варианта памяти TLC c кристаллами плотностью 512 и 1024 Гбит. Плотность ячеек V-NAND V8 должна быть увеличена на 40 процентов и, несмотря на увеличенное количество слоев, модуль памяти объемом 512 ГБ займет в высоту всего лишь 0,8 мм. Также отмечается, что компания продолжает применение структуры с четырьмя секциями (4-plane), это позволяет увеличить производительность за счет большего числа параллельных обращений. Скорость ввода-вывода увеличилась до 2,4 Гбит/с.
реклама
Седьмое поколение Samsung V-NAND V7 состоит из 176 слоев и может похвастаться пропускной способностью системы ввода-вывода 2 Гбит/с. Первые накопители с памятью V-NAND V7 должны появиться в ближайшее время.
