SK hynix объявила об успешном завершении разработки памяти HBM3E и подготовке образцов для отправки заказчикам на проверку. HBM3E — следующее поколение памяти для применения в области искусственного интеллекта (ИИ), которое отвечает всем самым высоким требованиям в отрасли, включая требования по скорости, ёмкости, тепловыделению и степени готовности к широкому внедрению. HBM3E может обрабатывать до 1,15 ТБ данных в секунду, для общего понимания, это можно сравнить с обработкой более 230 фильмов объёмом по 5 ГБ в FullHD разрешении.
SK hynix заявила, что в HBM3E применяется технология MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill), на 10% улучшающая рассеивание тепла, а что касается готовности к внедрению — за счёт обратной совместимости новая память подойдёт для систем, созданных под HBM3, необходимости в конструктивных изменениях нет. Как объясняли специалисты ресурса AnandTech, в технологии MR-MUF для соединения кристаллов DRAM используется процесс оплавления с заполнения промежутков «жидким эпоксидным формовочным компаундом» (liquid Epoxy Molding Compound или liquid EMC). Кроме того, что это позволяет сделать слои более тонкими, EMC имеет вдвое большую теплопроводность в сравнении с непроводящей плёнкой (NCF). В частности, технология позволит снизить температуру нижних слоёв в стеке.
