Огромный рост стоимости памяти заставляет исследователей активизировать усилия по разработке новых видов памяти и снижению её себестоимости. Не так давно компания Google рассказала о технологии сжатия TurboQuant, благодаря которой расход памяти для больших языковых моделей может сократиться в шесть раз. Теперь бельгийский научно-исследовательский центр нанотехнологий и полупроводников Imec в Левене представил первую в мире 3D-реализацию прибора с зарядовой связью (CCD).

Данная технология предлагает скорость уровня DRAM и плотность хранения данных на уровне NAND. Это позволяет надеяться на устранение узкого места, когда ограничение пропускной способности памяти не позволяет ускорителям ИИ обрабатывать токены непрерывно.

Изображение: techspot.com

В данном случае чипы памяти размещены вертикально, за счёт чего достигается сверхвысокая скорость передачи заряда, более 4 ГГц в лабораторных условиях. Чтобы уменьшить токи утечки и поддерживать более плотную 3D-интеграцию, задействовали оксид индия-галлия-цинка (IGZO). У этого соединения подвижность электронов намного выше, чем у привычного кремния, а также выше энергоэффективность и оптическая прозрачность.

Технология CCD уже применялась в цифровых камерах, видеооборудовании и астрономических датчиках. Потом ей на смену пришли сенсоры CMOS, более дешёвые и эффективные.

Пока речь идёт лишь о концепции и нужны новые исследования, которые покажут, возможно ли масштабировать 3D CCD для применения в реальных условиях. Если это произойдёт, дефицит памяти для дата-центров и других сценариев применения может стать чуть легче.