Ученые из Национального исследовательского университета «МЭИ» представили инновационный источник излучения для EUV-литографии, который отличается повышенным коэффициентом полезного действия (КПД) по сравнению с существующими аналогами. Основой этого открытия стало использование лития в сочетании с гелиевым плазменным зарядом.

Разработка в настоящее время находится на стадии прототипа. Однако ученые уверены, что в перспективе новый источник излучения найдет широкое применение в отечественных литографических системах. По словам специалистов университета, экспериментальный образец демонстрирует перспективы создания стационарного источника излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (ЭУФ).

Добавление лития в гелиевую плазму позволило добиться значительного повышения характеристик излучения. Такой подход особенно востребован в технологии EUV-литографии, применяемой в микроэлектронике для уменьшения размеров элементов интегральных схем. Благодаря этому процессу можно достичь не только повышения быстродействия устройств, но и значительного уменьшения их размеров.