Компания Samsung, известная своими технологическими достижениями, делает шаг вперед в области памяти, представляя Selector-Only Memory (SOM). Эта новая технология сочетает преимущества скоростной оперативной памяти и большой емкости твердотельных накопителей.

SOM основывается на архитектурах памяти с перекрестными точками, которые ранее использовались в таких технологиях, как память с изменением фазы и резистивная оперативная память (RRAM). Эти системы требуют наличия селектора, чтобы адресовать нужные ячейки и избегать непреднамеренных электрических путей. Однако Samsung внедряет инновационный подход, исследуя халькогенидные материалы, которые могут выполнять функции как селектора, так и памяти, создавая тем самым новую форму энергонезависимой памяти.

В этом процессе компания провела обширный скрининг более 4000 комбинаций материалов, сократив список до 18 наиболее перспективных кандидатов. Использование компьютерного моделирования на основе Ab-initio позволило исследователям сосредоточиться на таких критически важных аспектах, как дрейф порогового напряжения и оптимизация окна памяти. Эти параметры играют ключевую роль в производительности SOM.

На Международном собрании электронных приборов (IEDM), которое пройдет в декабре в Сан-Франциско, Samsung поделится своими находками и результатами исследований. Ученые не только представят свои достижения, но и обсудят, как их работа может изменить подход к разработке памяти в будущем.

Кроме того, в рамках конференции исследователи из IMEC поднимут вопросы, касающиеся атомных механизмов, таких как локальная перестройка атомных связей. Эти аспекты могут дополнительно объяснить работу селекторного компонента в SOM, влияя на его производительность и надежность. В результате, Samsung готовит почву для новой эры в области хранения данных, где скорость и емкость не будут противоречить друг другу.