Согласно информации от ETNews, в текущем году флагманские устройства Samsung будут оснащаться чипами LPDDR5X.

Как сообщается, модели Galaxy S24 оснащены чипами оперативной памяти, изготовленными Samsung на техпроцессе 13-нм. В новом отчете говорится, что в серии Galaxy S25 компания планирует использовать чипы на техпроцессе 12-нм и для этого заключила контракт с Micron. Ожидается, что в будущем Samsung увеличит долю собственных чипов в производстве оперативной памяти.

Благодаря уменьшенному полупроводниковому узлу оперативная память S25 будет требовать меньше энергии, что приведет к снижению тепловыделения и улучшению энергетической эффективности. Предполагается, что эта память будет работать с процессором Snapdragon 8 Elite на всех моделях новой серии.

В базовой модели S25 будет установлено 12 ГБ оперативной памяти, что значит отход от прежнего стандарта в 8 ГБ для флагманских моделей Samsung. Все эти изменения должны обеспечить значительный прирост производительности.