Платим блогерам

Новости 07 мая 2017 года

Р GreenCo

За два последних месяца компании Samsung и TSMC сделали ряд заявлений, которые помогли прояснить планы обоих производителей по внедрению новейших и очередных техпроцессов для выпуска полупроводников. В своё время мы рассказывали практически обо всех новостях на эту тему (например, здесь и здесь). На днях на сайте AnandTech появилась статья, в которой автор сводит воедино информацию о возможностях новейших техпроцессов обеих компаний, что позволяет нам также вернуться к этому вопросу и обобщить имеющиеся в свободном доступе данные.

Начнём с компании Samsung, которая уже примерно полгода выпускает 10-нм чипы с использованием техпроцесса 10LPE. По недавнему признанию Samsung, выпущено около 70 тыс. пластин с 10-нм решениями. Это ни много и не мало, но явно лучше, чем обстоят дела с выпуском 10-нм решений компанией TSMC. В то же время компания выпускает фактически (и всего) два 10-нм решения: Exynos 9 Octa 8895 и Qualcomm Snapdragon 835 — оба для Samsung Galaxy S8.

Изображения с сайта AnandTech

По сравнению с техпроцессом 14LPP чипы Samsung с использованием техпроцесса 10LPE на 30% компактнее, потребляют энергии на 40% меньше (при условии сохранения той же тактовой частоты и сложности дизайна) и готовы показать прирост по частоте на 27% (при условии сохранения потребления на том же уровне и при той же сложности дизайна). Параллельно компания Samsung завершила разработку и квалификацию второго поколения 10-нм техпроцесса — 10LPP (low-power plus) — и готова начать производство чипов с его использованием в конце 2017 года.

Третье поколение техпроцесса — 10LPU — будет внедрено для производства полупроводников в конце 2018 года. Компания Samsung не даёт цифр для сравнения техпроцессов 10LPU и 10LPP, но выигрыш при переходе с техпроцесса 10LPE на 10LPP (с первого поколения на второе) уже обозначен (все данные в таблице выше). Так, при сохранении уровня потребления по частоте можно добавить до 10%. Если зафиксировать тактовые частоты, то можно добиться снижения потребления на величину до 15%. И хотя Samsung пока не планирует выпускать SoC с использованием техпроцессов 10LPU и 14LPC (близких по назначению), мы видим, что в каждом поколении техпроцесса теперь заложено по три этапа производства. Собственно, компания Intel поступила похожим образом, когда продлила использование 14-нм техпроцесса уже на третье поколение процессоров.

Компания TSMC, по её уверениям, начала производство 10-нм решений (техпроцесс CLN10FF) во втором квартале, но на практике едва закончился процесс квалификации техпроцесса на двух её заводах: GigaFabs 12 и 15. По-настоящему массовый выпуск решений начнётся во второй половине текущего года. До конца года TSMC собирается выпустить до 400 тыс. пластин с 10-нм чипами. Поскольку компанию подгоняют заказы Apple на SoC для новых смартфонов, у TSMC не так уж много времени на раскачку. Но она не должна подвести.

Изображения с сайта AnandTech

Надо сказать, что переход от техпроцесса CLN16FF+ (второе поколение 16 нм) к техпроцессу CLN10FF обещает значительно улучшить параметры SoC. Так, плотность размещения транзисторов увеличится более чем на 50%, производительность при том же самом потреблении и сложности вырастет на 20%, а потребление снизится на 40% если сохранить прежний уровень тактовой частоты. В отличие от Samsung, кстати, TSMC не собирается "плодить" 10-нм техпроцессы и намерена затем перейти к первому поколению 7-нм техпроцесса (CLN7FF), что уже с энтузиазмом воспринято многими бесфабричными разработчиками.

Интересно отметить, что TSMC изначально планировала представить две версии 7-нм техпроцесса: один для высокопроизводительных решений, а второй для мобильных. Причём оба они были ориентированы на иммерсионную литографию с использованием 193-нм сканеров. Сейчас компания рассчитывает запустить сначала первое поколение "общего" 7-нм техпроцесса с использованием традиционного оборудования, а затем ввести в обиход второе поколение 7-нм техпроцесса с частичным использованием EUV-сканеров для изготовления критически важных слоёв. Компания GlobalFoundries будет идти по тому же маршруту.

Изображения с сайта AnandTech

Этап рискового производства с использованием техпроцесса CLN7FF компания TSMC начнёт в текущем квартале. Массовый выпуск решений на техпроцессе CLN7FF должен стартовать во втором квартале 2018 года. В коммерческих продуктах первые 7-нм чипы производства TSMC окажутся во второй половине 2018 года. Если сравнивать техпроцессы CLN16FF+ и CLN7FF, то дизайнеры получат возможность уменьшить площадь кристаллов до 70%, снизить потребление до 60% или увеличить тактовую частоту до 30%.

Производство с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса (CLN7FF+) и EUV-сканеров позволит ещё немного уменьшить площадь кристаллов (на величину от 10% до 20%), а также улучшить производительность или снизить потребление. Также переход на частичное использование EUV-литографии сократит производственный цикл, что снизит ценовую нагрузку на чипы (снизит себестоимость). Рисковое производство с использованием техпроцесса CLN7FF+ ожидается во втором квартале 2018 года, а массовое коммерческое — во втором полугодии 2019 года. В сходные сроки использовать EUV-сканеры рассчитывают также компании GlobalFoundries и Samsung, что вселяет уверенность в достаточной зрелости EUV-литографии.

Изображения с сайта AnandTech

Кроме 7-нм техпроцесса, что стало некоторой неожиданностью, в марте Samsung сообщила, что намерена ввести в оборот 8-нм и 6-нм техпроцессы. Техпроцессы с нормами 8 нм и 6 нм станут преемниками, соответственно, 10-нм и 7-нм техпроцессов. Это означает, что 8-нм техпроцесс останется на 193-нм сканерах, а 6-нм техпроцесс получит больше слоёв с использованием EUV-сканеров. По срокам можно ожидать, что коммерческое производство 8-нм решений начнётся в 2019 году — на полгода раньше начала коммерческого производства первых 7-нм решений Samsung. Выпуск 6-нм решений, соответственно, ожидается позже — на рубеже 2020-2021 годов.

Изображения с сайта AnandTech

Все заявленные выше техпроцессы используют вертикальные (FinFET) транзисторы. В то же время этот техпроцесс всё ещё недоступен основным массам разработчиков. Он достаточно дорог и сложен при проектировании. Альтернативой FinFET-техпроцессов должен стать 22-нм техпроцесс TSMC и 22/28-нм техпроцессы компаний GlobalFoundries и Samsung с использованием пластин FD-SOI. Все с использованием планарных транзисторов.

Техпроцесс TSMC CLN22ULP представляет собой оптимизированный техпроцесс последнего поколения с нормами 28 нм. Использование 22ULP позволит уменьшить площадь кристалла на 10% и поднять тактовую частоту на 15% или снизить потребление на 35%. Впоследствии TSMC представит 12-нм техпроцесс CLN12FFC, что станет следствием развития 16-нм техпроцесса CLN16FFC (компактный). Этот шаг обеспечит сокращение площади кристалла на 20%, улучшение частотного потенциала на 10% или снижение потребления на 25%. Произойдёт это примерно в 2018 или 2019 году. Судя по всему, даже если закон Мура прекратит своё действие, скучно не будет.

14

Попытки российских оверклокеров найти новые ниши в сфере экстремального разгона, которые не требовали бы использования очень дорогих современных видеокарт, напоминают активную геологоразведку. "Скважины бурятся" непрерывно и часто, с расчётом на попадание в "рекордоносную жилу". Вот и российский энтузиаст Traktor принялся разгонять двухпроцессорного ветерана Radeon HD 4870X2 при помощи самодельной системы жидкостного охлаждения (водоблок был серийным, конечно же), рассчитывая найти в рейтинге HWBot "заповедные места", где ещё есть место для рекордов в модельном зачёте.

Частоты видеокарты ему удалось поднять до 852/3774 МГц, а центральный процессор Core i7-7700K при помощи системы фазового перехода разогнался до 5.7 ГГц.

Три первых места россиянин занял в своей излюбленной серии тестов 3DMark Ice Storm. В целом же, за последнюю неделю Traktor успел поработать с Radeon HD 7970, Radeon RX 480, GeForce GTX 780 и GeForce GTX 950, так что скучать не приходилось.

10

Следующая неделя обещает быть очень интересной для тех, кто следит за деятельностью компании NVIDIA. Прежде всего, уже завтра начнёт свою работу мероприятие GPU Technology Conference, в повестке дня которого более шести сотен выступлений, включая и речь основателя NVIDIA. Он, к слову, прибудет на мероприятие только в среду, до этого выступив с докладом на квартальной отчётной конференции. И сложно сказать, какое из этих двух мероприятий окажется более подходящим местом для важных откровений.

Источник изображения: GPU Technology Conference

Пока на сайте GPU Technology Conference нам удалось найти единственное упоминание о графических процессорах с архитектурой Volta, да и то в контексте строительства суперкомпьютера Summit, где они будут использоваться для ускорения вычислений и связываться с процессорами IBM при помощи интерфейса NVlink. Запуск суперкомпьютера запланирован на конец 2018 года, а полномасштабная эксплуатация начнётся только в 2019 году. В этом контексте гораздо важнее, что SK Hynix уже пообещала начать снабжать памятью типа GDDR6 с 2018 года одного из разработчиков графических решений, по описанию очень похожего на NVIDIA. Генеральный директор компании нередко использует отраслевые мероприятия в мае, чтобы сформировать правильные ожидания в отношении своих будущих продуктов.

12

Переносной стенд для открытого размещения компонентов ПК в рамках проекта Open BenchTable разрабатывался с учётом пожеланий общественности, и теперь энтузиасты самостоятельно создают разного рода аксессуары для этого стенда, которые можно изготовить методом трёхмерной печати из полимерных материалов. Новейшее пополнение библиотеки объектов – это специальные опоры, которые позволяют положить стенд на бок без ущерба для устойчивости конструкции и риска повредить ребром "столешницы" опорную поверхность.

Источник изображения: Open BenchTable

Как сообщают разработчики, многие энтузиасты укладывают свои стенды на бок, чтобы провести фотосъёмку, и с новыми опорами системе будет проще удерживать равновесие. Кроме того, они предохраняют опорную поверхность от контакта с массивной алюминиевой плитой, которая является самой крупной деталью стенда.

Источник изображения: Open BenchTable

Желающие могут скачать файлы, необходимые для изготовления этих опор на устройстве трёхмерной печати. Изображённые на фото "технологические приливы", напоминающие облой, потом нужно будет удалить механически.

+

Поскольку образец видеокарты AMD Radeon RX Vega с индексом 687F:C1 уже "наследил" в 3DMark Time Spy, коллегам с сайта WCCFTech не составило труда найти упоминания о тестировании этой видеокарты и в 3DMark Fire Strike. Нам даже удалось найти прямую ссылку на этот результат, чтобы его сравнение с другими записями в базе данных 3DMark Fire Strike стало главной забавой аудитории на остаток воскресенья.

Источник изображения: 3DMark

Всё тот же образец AMD Vega оснащается 8 ГБ памяти, работает на частотах 1200/700 МГц, и в данном случае сочетается с процессором AMD Ryzen 7 1800X, работающим на частоте 3.6 ГГц.

Источник изображения: 3DMark

Коллеги приходят к выводу, что серийные экземпляры Radeon RX Vega будут работать на более высоких частотах – по крайней мере, если говорить о характеристиках самого графического процессора. В этом случае они смогут соперничать в 3DMark Fire Strike по уровню быстродействия с GeForce GTX 1080, по меньшей мере.

73
Р GreenCo

В 2010 году компания Intel запустила в работу свою первую в Китае фабрику для выпуска полупроводников на пластинах диаметром 300 мм. Это завод Fab 68 вблизи города Далянь. До 2015 года это предприятие в основном выпускало наборы системной логики. В 2015 году Intel приняла решение перепрофилировать завод на выпуск памяти 3D NAND. Сказано — сделано. Вложив за два года в модернизацию Fab 68 $5,5 млрд компания Intel в начале 2017 года начала выпуск на заводе микросхем 3D NAND TLC. Сегодня на базе этих микросхем Intel представляет две новые линейки серверных SSD: DC P4500 и DC P4600.

Линейка DC P4500 предназначена для нагрузки чтением. Накопители DC P4600 ориентированы на смешанную нагрузку и, в том числе, на интенсивную перезапись. Обе линейка представлены как моделями в формфакторе карт расширения PCIe, так и в 2,5-дюймовом формфакторе U.2.

Модельный ряд DC P4500 представлен ёмкостями 1, 2 и 4 Тбайт. Устоявшиеся скорости чтения достигают 3290 Мбайт/с, а устоявшиеся скорости записи — 1860 Мбайт/с. Значение IOPS для чтения случайных блоков может подниматься до 687 тыс., а в режиме записи случайных 4-Кбайт блоков достигает 62 тыс. Потребление в активном режиме приближается к 18,61 Вт. Ресурс на перезапись у самых ёмких моделей заявлен на уровне 4600 Тбайт.

Модельный ряд линейки DC P4600 содержит накопители объёмом 1,6, 2 и 3,2 Тбайт (формфактор U.2) и модели в формфакторе HHHL ёмкостью 2 и 4 Тбайт. Устоявшаяся скорость чтения поднимается до 3290 Мбайт/с, а устоявшаяся скорость записи — до 2100 Мбайт/с. Значения в IOPS для чтения случайных блоков достигают 694 тыс, а для записи — 228 тыс. Потребление моделей DC P4600 выше, чем потребление моделей DC P4500 и подходит к отметке 20,71 Вт. Ресурс на перезапись у моделей достаточно высок и достигает 21 690 Тбайт.

1

Популярные статьи

Сейчас обсуждают