В 2010 году компания Intel запустила в работу свою первую в Китае фабрику для выпуска полупроводников на пластинах диаметром 300 мм. Это завод Fab 68 вблизи города Далянь. До 2015 года это предприятие в основном выпускало наборы системной логики. В 2015 году Intel приняла решение перепрофилировать завод на выпуск памяти 3D NAND. Сказано — сделано. Вложив за два года в модернизацию Fab 68 $5,5 млрд компания Intel в начале 2017 года начала выпуск на заводе микросхем 3D NAND TLC. Сегодня на базе этих микросхем Intel представляет две новые линейки серверных SSD: DC P4500 и DC P4600.

Линейка DC P4500 предназначена для нагрузки чтением. Накопители DC P4600 ориентированы на смешанную нагрузку и, в том числе, на интенсивную перезапись. Обе линейка представлены как моделями в формфакторе карт расширения PCIe, так и в 2,5-дюймовом формфакторе U.2.

Модельный ряд DC P4500 представлен ёмкостями 1, 2 и 4 Тбайт. Устоявшиеся скорости чтения достигают 3290 Мбайт/с, а устоявшиеся скорости записи — 1860 Мбайт/с. Значение IOPS для чтения случайных блоков может подниматься до 687 тыс., а в режиме записи случайных 4-Кбайт блоков достигает 62 тыс. Потребление в активном режиме приближается к 18,61 Вт. Ресурс на перезапись у самых ёмких моделей заявлен на уровне 4600 Тбайт.

Модельный ряд линейки DC P4600 содержит накопители объёмом 1,6, 2 и 3,2 Тбайт (формфактор U.2) и модели в формфакторе HHHL ёмкостью 2 и 4 Тбайт. Устоявшаяся скорость чтения поднимается до 3290 Мбайт/с, а устоявшаяся скорость записи — до 2100 Мбайт/с. Значения в IOPS для чтения случайных блоков достигают 694 тыс, а для записи — 228 тыс. Потребление моделей DC P4600 выше, чем потребление моделей DC P4500 и подходит к отметке 20,71 Вт. Ресурс на перезапись у моделей достаточно высок и достигает 21 690 Тбайт.