Компания Samsung во вторник объявила, что начинает промышленное производство первых чипов памяти типа eUFS 3.1 объёмом 512 Гб. Они предназначаются для флагманских смартфонов и разработчики называют их самыми быстрыми среди современных мобильных чипов памяти. По сравнению с существующей памятью eUFS 3.0 скорость записи у новой вырастет в три раза.

Samsung обещает скорость последовательного чтения данных более 1200 Мб/с. Производительность при работе со случайными блоками данных станет больше на 60% по сравнению с современными флагманами. Скорость чтения случайных блоков данных равна 100000 IOPS, записи 70000 IOPS. Скорость последовательного чтения останется на уровне 2100 Мб/с. В результате новые чипы значительно быстрее, чем твердотельные накопители на основе интерфейса SATA III для персональных компьютеров и существующих чипов для смартфонов.

Samsung утверждает, что смартфоны с такой памятью могут перенести 100 Гб данных примерно за полторы минуты, тогда как памяти UFS 3.0 на это потребуется больше 4 минут. Позднее в этом году Samsung собирается выпустить премиальные смартфоны с новыми чипами объёмом 128 или 256 Гб.

Ранее компания начала предлагать на флагманских моделях Galaxy S20 запись видео с поддержкой 8K. Скоро за ней могут последовать китайские производители смартфонов. Таким образом, большой объём быстрого хранилища не помешает.