Компания Samsung объявила о разработке первого модуля памяти DDR5-7200 емкостью 512 ГБ. Компания построила свой модуль памяти DDR5-7200 на базе чипов, которые связаны между собой по технологии TSV (сквозное кремниевое соединение). Это значительное улучшение по сравнению с DDR4. Используя методы работы с тонкими пластинами, Samsung смогла уменьшить зазоры между матрицами на 40%, что позволило уменьшить высоту стека.

 Модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении 1,1 В, что меньше, чем напряжение DDR4. Повышение энергоэффективности стало возможным благодаря высокоэффективному управлению питанием (PMIC), регулятору напряжения и технологии затвора High-K Metal. Samsung заявила, что ее PMIC не только способствует снижению напряжения, но и снижает уровень шума. Как и ожидалось, модуль памяти Samsung имеет встроенный код исправления ошибок (ODECC) для обеспечения более надежной и безопасной обработки данных.

 Модуль памяти DDR5 512 ГБ от Samsung впечатляет своим объемом, но его основное предназначение - это центры обработки данных и серверы. Потребительская память DDR5, скорее всего получит модули объемом до 64 ГБ. Если раньше можно было поставить в систему максимум 128 ГБ оперативной памяти, то теперь это значение увеличивается до внушительных 256 ГБ, что ранее было доступно только в серверах.

 Samsung ожидает, что массовое производство модулей памяти DDR4-7200 512 ГБ начнется к концу текущего года. Компания считает, что массовый переход на стандарт DDR5 состоится не раньше 2023 или 2024 года.