Сегодня компания Samsung, сообщила о том, что она полностью завершила разработку новейшего типа памяти GDDR7, который будет расширять возможности инновационных продуктов, включая ускорители вычислений для ИИ, современные автомобильные системы и т. д.
По производительности GDDR7 более чем на треть опережает GDDR6, повышая пропускную способность на вывод до 32 Гбит/с. Это стало возможным благодаря отказу от применения метода передачи сигналов Non Return to Zero (NRZ) и переходу на Pulse Amplitude Modulation (PAM3), что позволило передавать на 50% больше данных за один цикл.
Модернизация конструкции чипов и оптимизация технологии энергосбережения привели к снижению энергопотребления на 20%, по сравнению с GDDR6. Для устройств, чувствительных к расходу энергии, таких как ноутбуки, доступны варианты с пониженным напряжением.
Для уменьшения тепловыделения оболочка микросхем выполнена с применением эпоксидного формовочного компаунда. Это обеспечило на 70% меньшее термическое сопротивление, что способствует стабильной работе чипов на высоких скоростях.
Представитель компании намекнул, что GDDR7 будет применяться в будущих графических ускорителях и игровых консолях следующего поколения. В этом году Samsung поставит тестовые партии ключевым клиентам для их next-gen систем, чтобы оценить возможности нового типа памяти.
