Сегодня Samsung объявила о начале массового производства своей предположительно 236-слойной трехмерной памяти NAND, которую компания называет V-NAND 8-го поколения. Новые микросхемы обеспечивают скорость передачи данных 2400 МТ/с, а в сочетании с усовершенствованным контроллером они позволяют получить твердотельные накопители клиентского уровня со скоростью передачи более 12 Гбит/с.

 Новые чипы V-NAND 8-го поколения имеют емкость 1 Тбит, которую Samsung называет самой высокой плотностью битов в отрасли, не раскрывая размер микросхемы. Новинка также обеспечивает скорость передачи данных 2400 МТ/с, что очень важно для лучших твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0x4, которые будут предлагать высочайшие 12,4 Гбит/с при использовании соответствующего контроллера.

 Samsung утверждает, что новое поколение ее памяти 3D NAND будет предлагать на 20% более высокую производительность на пластину по сравнению с ее существующими микросхемами флэш-памяти той же емкости, что снижает затраты компании и потенциально означает более дешевые твердотельные накопители.

 Между тем, компания ничего не говорит об архитектуре, но, судя по предоставленному изображению, речь идет о двухплоскостной 3D NAND IC.

 «Поскольку рыночный спрос на более плотные и емкие хранилища подталкивает к увеличению количества слоев V-NAND, Samsung внедрила свою передовую технологию трехмерного масштабирования, чтобы уменьшить площадь поверхности и высоту, избегая при этом помех между ячейками, которые обычно возникают при уменьшении масштаба. Наша память V-NAND восьмого поколения поможет удовлетворить быстро растущий рыночный спрос и улучшит позиции для предоставления более дифференцированных продуктов и решений, которые станут основой будущих инноваций в области хранения данных», — сказал СунгХой Хур, исполнительный вице-президент по технологиям флэш-памяти в Samsung Electronics.