Samsung рассказала о своих планах на будущее в котором видит повышенный спрос на их продукцию для центров обработки данных, серверов, мобильных устройств, игр и автомобилей. На мероприятии Samsung Tech Day в этом году была представлена оперативная память DDR5 с  увеличенной емкостью, анонсирован новый стандарт GDDR следующего поколения, а также Чжун Бэй Ли рассказал про технологию V-NAND.

Для рынка DRAM, Samsung модернизировала производственный процесс 1b, который позволяет выйти за пределы 10 нм благодаря таким технологиям, как High-K. Вскоре компания представит DDR5 с плотностью 32 Гб на чип памяти, что в 2 раза больше, чем у существующих 16 Гб и на 33% больше, чем 24 Гб. Кроме того, ожидается, что LPDDR5X DRAM с пропускной способностью 8,5 Гбит/с для мобильных телефонов и ультрабуков также получат более широкое распространение в течение предстоящего года. Специализированные решения DRAM, такие как HBM-PIM и AXDIMM и CXL будут доработаны, чтобы обеспечить ускоренную обработку для приложений искусственного интеллекта и нейронных сетей.

Графические процессоры следующего поколения выиграют от более быстрой видеопамяти, поскольку южнокорейский гигант анонсировал GDDR7 со скоростью передачи данных до 36 Гбит/с. Этот новый стандарт должен повысить скорость на 50% по сравнению с текущими чипами GDDR6X от Micron на 24 Гбит / с, предлагаемыми некоторыми видеокартами Nvidia RTX 4000. С 384-битной шиной GDDR7 теоретически может обеспечить пропускную способность 1,7 ТБ/с, но 256-битная шина также может преодолеть ограничение в 1 ТБ/с.

И последнее, но не менее важное: Samsung рассказала об улучшении чипов памяти V-NAND. Чипы TLC V-NAND емкостью 1 ТБ будут доступны в конце 2022 года, а разработка V-NAND девятого поколения уже ведется, производство первых чипов запланировано на 2024 год. Samsung планирует выпустить 1000-слойный чип V-NAND к 2030 году.