Продолжается работа над созданием ферраэлектрической памяти

для раздела Новости Hardware

На сайте VR-Zone появился материал о достижении специалистов из национальной лаборатории энергетики Брукхэвена (США). Учёным удалось запечатлеть электрические поля, исходящие от ферраэлектриков в пикометровом масштабе (1 пикометр = 1000 нанометров)при помощи способа, именуемого "электронной голографией". Сделанные снимки, позволили исследователям глубже изучить поведение атомов титаната бария и теллурида германия – двух весьма многообещающих ферроэлектрических материалов, разработанных в национальной лаборатории Лоуренса Беркли.

Данное событие, по мнению физиков Брукхэвена, является существенным достижением, способствующим приближению эпохи создания ферроэлектрической памяти, энергонезависимой, быстрой и обладающей превосходной плотностью записи. Её принципиальное отличие от применяемой сегодня ферромагнитной памяти состоит в том, что поляризующую роль на себя берут электроны, таким образом, эта технология позволит существенно уменьшить размеры запоминающего устройства, размещая многие гигабайты информации всего на одном квадратном сантиметре носителя. Таким образом, согласно авторам вышеупомянутого источника, описанное достижение приблизило индустрию к появлению накопителей нового класса ещё на один шаг.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.3 из 5
голосов: 42

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают