В последние дни компания TSMC опубликовала серию пресс-релизов, в которых рассказала о своих победах на почве развития технологий производства полупроводников. Все новые достижения компании в первую очередь связаны с адаптацией к очередным техпроцессам архитектур компании ARM. Так, если раньше TSMC вначале основной упор делала на скорейший выпуск FPGA-матриц и графических процессоров, то сегодня целью номер один являются новейшие ядра ARM. Рынок диктует — производители смартфонов и планшетов требуют развивать и совершенствовать SoC-сборки.

Свежим пресс-релизом компания TSMC раскрыла планы по переходу на выпуск полупроводников с нормами 10 нм с использованием FinFET транзисторов. Сообщается, что компании ARM и TSMC применят весь свой прошлый опыт сотрудничества, чтобы не позднее четвёртого квартала 2015 года представить первый цифровой проект 10-нм сборки на FinFET транзисторах на основе 64-разрядных архитектур ARM. Такие проекты — tape-out — это основа для создания фотошаблонов, которые впоследствии будут использованы для выпуска полупроводников. Можно ожидать, что первый 10-нм опытный кремний компания TSMC сможет получить не позднее второго квартала 2016 года. Где-то в это же время компания Intel обещает организовать массовое производство 10-нм полупроводников. Тем самым TSMC может сократить своё отставание от Intel до полугода, что станет беспрецедентным случаем в новейшей истории.

В официальном документе компания TSMC не приводит каких-либо технических деталей о 10-нм FinFET техпроцессе. Из предыдущих публикаций известно, что по сравнению с техпроцессом 16FinFET+ техпроцесс 10FinFET может позволить поднять производительность на 25% без увеличения потребления или сократить потребление на 45% без увеличения производительности. Плотность размещения транзисторов при этом от поколения к поколению увеличится примерно в 2,2 раза.