Новости Hardware 31 октября 2007 года

Тайваньский сайт OC.com.tw уже смущал общественность публикацией фотографий процессоров, напоминающих инженерные образцы Phenom - дело было в июле, когда не все из нас ещё были уверены в том, что процессоры Barcelona выйдут в сентябре, не говоря уже о ноябрьском анонсе Phenom. Как выяснилось позднее, провокационные июльские фотографии содержали изображения макетов процессоров, предназначенных исключительно для демонстрации на расстоянии. Такую "затычку", например, можно разместить на выставочном образце материнской платы.

Поскольку интернет уже начинает наполняться скриншотами и результатами бенчмарков процессоров Phenom, которые разгоняются до частоты 3.0 ГГц и выше, к очередной фотосессии на страницах сайта OC.com.tw мы отнеслись с меньшим недоверием. Тайваньские источники опять продемонстрировали процессор с невнятной маркировкой...

..., дополнив описание внешности скриншотом:

Как видите, здесь уже знакомый нам процессор Phenom степпинга B2 с 4х512 Кб кэша второго уровня и 2 Мб кэша третьего уровня работает на частоте 2.0 ГГц. Опять же, делать какие-то выводы о частотном потенциале Phenom на базе этого скриншота не имеет смысла - другой азиатский ресурс уже несколько дней подряд демонстрирует скриншоты процессора Phenom того же степпинга, разогнанного до частоты 3.0 ГГц.

Радует тот факт, что география распространения инженерных образцов Phenom расширяется, и более обстоятельные результаты тестирования мы наверняка сможем увидеть ещё до официального анонса, который намечен на 19-20 ноября.

Кстати, на страницах сайта OC Workbench появились результаты сравнения Phenom и Yorkfield на частоте 2.0 ГГц в тесте 3DMark'06. В паре с одиночной видеокартой GeForce 8800 GTX процессор Phenom набирает более 9800 "попугаев", а Yorkfield на той же частоте набирает более 10 700 "попугаев". Phenom работает в материнской плате на базе чипсета AMD 770, а Yorkfield трудится в составе системы на базе чипсета Intel X38. Расчёт числа "пи" с точностью 1 млн. знаков после запятой процессор Phenom с частотой 2.0 ГГц выполняет за 40 секунд, если верить этому ресурсу. На частоте 3.0 ГГц этот тест выполняется за 27,5 секунд, поэтому можно говорить о почти линейном приросте производительности.

Возможность независимого управления частотами каждого ядра изначально преподносилась компанией AMD в качестве одного из важнейших преимуществ процессоров поколения Phenom. До сих пор считалось, что эта возможность будет использована для более гибкого распределения нагрузки между четырьмя ядрами, и экономии электроэнергии.

Однако, сегодня на страницах сайта ExpReview появились любопытные подробности о технологии AMD Overdrive, которая должна стать своеобразным аналогом фирменной утилиты nTune для разгона системы от NVIDIA. Напомним, что даже компания Intel симпатизирует этой идее, а потому предлагает утилиту Extreme Tuning Utility для чипсетов так называемой "третьей серии".

Утилита AMD Overdrive позволит независимо управлять частотой каждого процессорного ядра путём изменения множителя. Кроме того, можно будет управлять из Windows частотой шины HyperTransport, частотой северного моста, частотой памяти и частотой шины PCI Express.

Разумеется, возможность независимого разгона процессорных ядер несёт как очевидные блага, так и некоторые проблемы. К первым можно отнести возможность "оптимизации частоты" под приложения, ориентированные на обработку одного, двух или трёх потоков, когда все четыре ядра в полной мере не востребованы. К недостаткам можно отнести потенциальные проблемы с согласованием работы ядер в многопоточных приложениях. Впрочем, о плюсах и минусах независимого разгона ядер Phenom мы сможем судить только после подробного изучения этого, прошу прощения за каламбур, "феномена" на практике.

Современные игры становятся всё более требовательными к объёму набортной памяти видеокарты. Стоит ли удивляться тому, что первой на рынок вышла версия GeForce 8800 GT с 512 Мб памяти. Как известно, данный объём памяти соседствует в этой видеокарте с 256-битной шиной. Ближе к декабрю должна появиться модификация GeForce 8800 GT с 256 Мб памяти типа GDDR-3, которая должна поразить нас своей относительной дешевизной (до $199).

Коллеги с сайта The Inquirer уже сообщали, что некоторые партнёры NVIDIA намерены выпустить видеокарты GeForce 8800 GT с 1 Гб памяти. Теперь появляются упоминания о сроках анонса этой модификации - по словам одного из партнёров NVIDIA, версия GeForce 8800 GT с 1 Гб памяти появится в декабре, когда NVIDIA реализует поддержку этой модели на уровне драйверов.

Легко догадаться, что в силу своей малочисленности и наличия большого объёма памяти, видеокарты GeForce 8800 GT с 1 Гб памяти будут стоить довольно дорого. Пока сложно прогнозировать, будет ли разница в цене оправдывать тот прирост производительности, который будет обеспечен увеличением объёма памяти - если вообще можно говорить о приросте, разумеется. Нередко увеличение объёма памяти сопровождается снижением её частоты, а также ослаблением таймингов. Обе эти меры к повышению быстродействия не приводят. По крайней мере, в относительно лёгких графических режимах преимущество гигабайтной версии GeForce 8800 GT над вариантом с 512 Мб памяти может быть не таким убедительным, как разница в цене.

Как известно, для производства полупроводниковых микросхем используется кремний. Микрочипы "нарезаются" из кремниевых пластин диаметром 200 или 300 мм, предварительно обрабатываемых на литографическом оборудовании. Какая-то часть пластин неизбежно имеет дефекты, а потому бракованные чипы удаляются из общей партии. Однако, брак может распространяться и на всю кремниевую пластину, и тогда её приходится уничтожать. Производители микрочипов не заинтересованы в том, чтобы бракованные пластины с нанесёнными интеллектуальными секретами попадали в чужие руки, поэтому индустрия вторичной переработки в данном случае не задействована.

Компания IBM надеется изменить такое положение вещей. На своих заводах она уже опробовала технологию обработки дефектных кремниевых пластин, которая позволяет удалить с поверхности слой транзисторов, как раз составляющий коммерческую тайну. Освобождённая от этой ноши пластина может быть использована при производстве полнофункциональных кремниевых пластин в качестве эталона для калибровки оборудования, либо передана производителям панелей для солнечных батарей, которые тоже изготавливаются из кремния.

По оценкам IBM, около 3,3% ежедневно обрабатываемых кремниевых пластин уходят в брак, а их ежегодное количество достигает трёх миллионов штук. Допуская использование бракованных пластин для других нужд, можно не только решить проблему дефицита кремния в индустрии, но и улучшить экологическую обстановку. Во-первых, бракованные пластины больше не выбрасываются. Во-вторых, затраты энергии на производство панелей для солнечных батарей могут быть сокращены на 30-90% по сравнению с полным циклом, когда пластина обрабатывается "с нуля". Соответственно, выбросы углекислого газа в атмосферу от электростанций тоже сокращаются. Разумеется, производители солнечных батарей при этом ещё и экономят средства на оплате электроэнергии.

Представители AMD недавно подтвердили свои намерения развернуть массовое производство процессоров по 45 нм технологии в первой половине 2008 года. Первые 45 нм процессоры AMD будут предназначены для использования в серверах и настольных компьютерах, и только потом на новый техпроцесс перейдут мобильные процессоры.

Не следует забывать, однако, что производством процессоров AMD с некоторых пор занимается сингапурская компания Chartered Semiconductor - в данный момент налажено производство 65 нм процессоров по заказам AMD. Со временем Chartered освоит и производство 45 нм процессоров AMD, благо уже к концу текущего года Chartered начнёт снабжать заказчиков образцами 45 нм изделий.

На последней квартальной отчётной конференции представители Chartered Semiconductor заявили, что переход на 45 нм техпроцесс ведётся в соответствии с графиком. Хотя образцы 45 нм продуктов будут готовы уже к концу этого года, полномасштабное производство 45 нм изделий с использованием технологии SOI будет развёрнуто ближе к концу первой половины 2009 года. Следовательно, именно в этот период AMD может начать массовые поставки выпущенных на Chartered процессоров на базе 45 нм ядер.

Chartered считает, что переход на новую ступень техпроцесса целесообразно осуществлять с шагом в два года. Например, первые 45 нм продукты появятся два года спустя после дебюта 65 нм продуктов. Соответственно, 32 нм изделия производства Chartered мы увидим не ранее 2011 года. Вполне возможно, что тщательно оберегаемая AMD концепция "отказа от активов" подразумевает размещение более крупных заказов на мощностях Chartered.

Произошедшие с четырёхъядерными процессорами Intel в связи с переходом на 45 нм техпроцесс метаморфозы мы изучили пару дней назад, однако из виду был упущен один нюанс, касающийся серийных процессоров Core 2 Extreme QX9650 (3.0 ГГц). Поскольку в продажу они будут поступать в коробочном исполнении, то в комплекте поставки предусмотрен кулер, часто именуемый "боксовым".

Так вот, как сообщает сайт VR-Zone, серийные процессоры Core 2 Extreme QX9650 в коробочном исполнении будут оснащаться кулером нового образца. Взглянуть на него интересно и по той причине, что кулер имеет необычную конструкцию. Точнее говоря, для продукции Thermaltake или Zalman такая компоновка радиатора вполне привычна, а вот боксовые кулеры Intel в своём развитии на эту ступень эволюции забрались только сейчас.

Алюминиевые пластинчатые рёбра ориентированы радиально, в верхней части кулер поделён на четыре секции. Каждое ребро соединяется с соседним при помощи плоской перемычки, на виде сверху эти перемычки формируют несколько концентрических круглых контуров. Такая конструкция позволяет поддерживать равное расстояние между рёбрами радиатора.

Снизу имеется медный сердечник, алюминиевые же рёбра продуваются до самого основания. Крепление кулера к материнской плате осуществляется при помощи четырёх пластиковых шпилек, как у большинства кулеров для процессоров в исполнении LGA 775.

Важно отметить, что вентилятор типоразмера 120 мм имеет голубую подсветку, которую при необходимости можно отключить.

Питание вентилятора осуществляется через четырёхштырьковый разъём, позволяющий управлять скоростью вращения методом широтно-импульсной модуляции. Радиатор имеет наибольший диаметр 135 мм, его высота равна 79,9 мм. Нижняя часть имеет диаметр 90 мм. Высота до перепада диаметров равна 39,5 мм от основания. Довольно дешёвая в производстве конструкция. Осталось только проверить, насколько этот кулер эффективен при охлаждении процессоров Yorkfield.