На отраслевом мероприятии перед началом Semicon Taiwan 2026 компания Samsung Electronics поделилась первыми планами по поводу следующего поколения высокопроизводительной памяти. Это стандарт HBM5, который должен прийти на смену актуальным сегодня HBM4 и HBM4E.

Источник изображения: Future

По словам Чхве Чан Сока, руководителя отдела планирования продуктов в подразделении памяти Samsung Electronics DS, целевые показатели HBM5 — удвоение производительности и повышение энергоэффективности на 20% по сравнению с поколением HBM4E. При этом точные технические параметры пока не раскрыты, но достичь двукратного прироста планируется за счет увеличения пропускной способности.

Для сравнения: нынешний стандарт HBM4E, по данным JEDEC, обеспечивает скорость передачи данных около 12 ГТ/с на один контакт. Чтобы удвоить общую пропускную способность, разработчикам придется либо поднять частоту до 24 ГТ/с, либо расширить интерфейс с 2048 до 4096 бит, либо скомбинировать оба подхода. В Samsung пока не уточнили, какой путь выбран.

Ожидается, что первые образцы памяти с такими характеристиками появятся в 2028–2029 годах. В сочетании с планами TSMC по установке 20–24 стеков HBM5 в одном корпусе, это может обеспечить пропускную способность до 80–96 ТБ/с в одном чипе. Пока обсуждение спецификаций HBM5 остается на уровне прогнозов, но сама постановка цели вдвое увеличить пропускную способность за одно поколение выглядит крайне амбициозно. Ранее Samsung уже сообщала, что новые модули HBM5 получат тепловой блок, снижающий тепловое сопротивление на 20% и упрощающий охлаждение.