Известны характеристики 10-нм процессора Qualcomm Snapdragon 835


Следующий флагманский процессор Qualcomm появится на рынке под названием Snapdragon 835, а не Snapdragon 830, как предполагалось ранее. Как стало известно на днях, его производством по 10-нанометровому техпроцессу займётся южнокорейская компания Samsung. А сегодня источники рассекретили спецификации нового чипа.

По сведениям источников издания PhoneArena, в состав Snapdragon 835 (MSM 8998) войдут восемь ядер, тогда как Snapdragon 820 и 821 включают в себя четырёхъядерный процессор. Восемь вычислительных ядер Kryo 200 будут разбиты на два кластера с разной тактовой частотой. Также частью новой однокристальной платформы станут графический ускоритель Adreno 540 и встроенный модем X16 LTE со скоростью до 1 Гбит/с. Чип будет наделён поддержкой ОЗУ LPDDR4X-1866 и флеш-накопителей UFS 2.1.

Появление мобильных устройств на базе Qualcomm Snapdragon 835 ожидается в первом квартале 2017 года. Одним из первых смартфонов на базе Snapdragon 835 станет флагман Samsung Galaxy S8, который дебютирует на MWC 2017.

Также в опубликованном источниками документе упоминается ещё один новый чип Qualcomm под названием Snapdragon 660 (MSM 8976 Plus), который выйдет во втором квартале следующего года. Он будет выпускаться по 14-нанометровому техпроцессу. Qualcomm Snapdragon 660 будет состоять из восьмиядерного процессора Kryo (четыре ядра с тактовой частотой 2.2 ГГц и четыре ядра с тактовой частотой 1.9 ГГц), графики Adreno 512 и LTE-модема X10. Первыми устройства с Qualcomm Snapdragon 660 выпустят китайские компании Vivo и Oppo.

Оценитe материал
рейтинг: 4.0 из 5
голосов: 11

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают