Не секрет, что с появлением нового типа оперативной памяти число его приверженцев растёт не так быстро, как того хотели бы производители памяти и чипсетов. Рост эффективной частоты памяти обычно сопровождается ослаблением таймингов, и это ведёт к увеличению задержек при работе памяти. Пограничные типы памяти вроде DDR3-800 обычно вообще не рассматриваются грамотными энтузиастами в качестве кандидатов на покупку, так как DDR2-800 оказывается быстрее из-за более низких таймингов. Даже память нового поколения с более высокой частотой может проигрывать памяти прежнего поколения, обладающей более низкими задержками. При этом память нового поколения часто оказывается достаточно дорогой, чтобы стимулировать переход на её использование в первые месяцы после анонса совместимых чипсетов.

Подобные сомнения наверняка занимали умы и будущих владельцев материнских плат на базе чипсетов серии Bearlake, часть из которых будет оснащаться слотами DIMM с поддержкой DDR-3. Коллеги с сайта Fudzilla решили напомнить, какими будут задержки микросхем DDR-3 первого поколения на примере памяти производства Samsung :

Итак, тайминги распределятся следующим образом:

• DDR3-800 -> 5-5-5 или 6-6-6;
• DDR3-1066 -> 7-7-7 или 8-8-8;
• DDR3-1333 -> 8-8-8 или 9-9-9;
• DDR3-1600 -> 9-9-9.

Заметим, что современные модули памяти типа DDR2-800 работают с таймингами 4-4-4, память типа DDR2-1066 работает с таймингами 5-5-5. Выходящие в этом году чипсеты не будут стремиться поддерживать память быстрее DDR3-1066, исключением могут стать разве что дорогие чипсеты с поддержкой DDR3-1333. Как всегда, с течением времени производители памяти начнут предлагать продукты со всё более низкими таймингами, поэтому рано или поздно DDR-3 сможет превзойти предшественницу по уровню реального быстродействия. Компания AMD внедрять поддержку DDR-3 пока не торопится, осознавая степень влияния задержек на быстродействие системы с интегрированным в процессор контроллером памяти.

К неоспоримым плюсам памяти типа DDR-3 следует отнести более низкое энергопотребление - рабочее напряжение памяти составляет 1,5 В, тогда как для DDR-2 это значение равно 1,8 В.