Начав поставки 176-слойной 3D-NAND в ноябре 2020 года, Micron перехватила лидерство в гонке производителей флэш памяти. Чуть позже и SK Hynix начала серийный выпуск своей 176-слойной 4D-NAND, а в феврале к ним присоединилась Kioxia, которой в сотрудничестве с Western Digital удалось уместить в чипе 162 слоя с ячейками памяти.
Что касается Samsung, то корейская компания, лидер в разработке памяти, пока не представила новое поколение своей вертикальной V-NAND, сообщив лишь о технической возможности производства 256-слойной памяти за счет продвинутой технологий двухстековой сборки. Сколько слоев компания сможет уместить в чипах для массового производства так и осталось неизвестным.
Корейский ресурс Digital Daily со ссылкой на информацию из отраслевых источников сообщил, что Samsung готовит серьезный ответ опередившим ее конкурентам. В этом году компания представит чипы V-NAND, в которых количество слоев все-таки будет более 200. Соответствующая технология производства уже тестируется.
Источник: Digital Daily