Компании Kioxia и Western Digital сообщили об успешной совместной разработке нового поколения многослойной флэш-памяти. В 6-м поколении 3D NAND используется 162-слойная структура в совокупности с широким спектром технологий и инноваций.

Автор оригинального фото Laura Ockel, Unsplash

 

Последняя разработка отличается усовершенствованной архитектурой, которая позволила эффективно уплотнить структуру в вертикальном и горизонтальном направлении. Осуществив переход со 112 слоев к 162 и уплотнив на 10% поперечное расположение ячеек, удалось на внушительные 40% уменьшить размер кристалла и добиться существенной оптимизации производственных затрат — количество бит на одной кремниевой пластине увеличилось на 70%.

В 6-м поколении потребителей ожидают значительные скоростные улучшения: практически в 2,5 раза увеличилось быстродействие при различных сценариях работы с программным обеспечением. Задержки снизились на 10%, а производительность ввода-вывода увеличилась более чем на 60%. В достижении этих показателей не малую роль играет размещение управляющей микросхемы CMOS под массивом памяти, так называемая 4D реализация.