Память установлена Samsung 1,4 нс, объемом 256 МБ, номинальные частоты равны 1188 MHz.
Проведение предварительного тестирования показало, что карта достаточно неплохая, набирает немало попугаев в марках и в Сталкере не тормозит при максимальных настройках, но только при статическом освещении.
С номинальных частот 500/1188 MHz карта разогналась всего до 641/1540 MHz.
На сколько мне было известно, Sapphire Radeon X1950GT выпускается в разных ревизиях - с цифровым питанием и аналоговым. Мне попалась как раз с аналоговым.
И самое интересное, осмотр показал, что питание организовано так же, как и у Sapphire Radeon 1650ХТ, который я уже тестировал. Так что вольтмод сложности уже не представлял.
По номиналу на ядро подается напряжение 1,32В, на память - 1,82В.
За питание ядра и памяти отвечают контролеры NEXSEM - NX2415 и NX2114 соответственно.
Я привожу схему только карандашного вольтмода, в случае, если кто-то решит с применением пайки, то думаю понятно, что и где паять.
Вольтмод на ядро (GPU) выполняется следующим образом.
На микросхеме NX2415, отвечающей за питание ядра, нужные ножки – 5 и 20.
Для карандашного вольтмода ядра необходимо заштриховывать резистор, отмеченный на фото. Мерять полученное напряжение на ножках указанных конденсаторов
Снижение номинального сопротивления:
с 5990 Ом до 5720 Ом в результате дает напряжение на ядре – 1,47 В;
с 5990 Ом до 5560 Ом в результате дает напряжение на ядре – 1,52 В;
с 5990 Ом до 5380 Ом в результате дает напряжение на ядре – 1,57 В.
Снижение сопротивления ниже 5380 Ом в моем случае не дало повышения частоты ядра, а приводило лишь к черному экрану в тестах, видимо, срабатывала защита микросхемы.
Вольтмод памяти (Mem) выполняется следующим образом.
На микросхеме NX2114, отвечающей за питание памяти, нужные ножки – 3 и 6. К ним можно припаивать переменный резистор, не опасаясь замыкания с соседними ножками.
Для карандашного вольтмода памяти необходимо заштриховывать резистор, отмеченный на фото. Мерять полученное напряжение на ножках указанных конденсаторов
Снижение номинального сопротивления:
с 4390 Ом до 4110 Ом в результате дает напряжение на памяти – 1,96 В.
с 4390 Ом до 3960 Ом в результате дает напряжение на памяти – 2,04 В.
В моем случае повышение напряжения на память свыше 2,05 В не дало прибавки частоты памяти, а количество артефактов увеличивалось. Поэтому остановился на 2,05 В.
Установка проверенного Zalman VF-700Cu завершила подготовку к установлению рекордов.
Тестовая система.
Intel C2D E6600 @ 3600...3680 MHz, Vcore 1,6 V.
Кулер TT Mini Typhoon
ASUS P5BDeluxe Wi-Fi AP Edition (VDroop, VDimm modz)
DDR 2х512 Corcair Extreme PC2-4300
HDD S-ATA Samsung 120 Гб
БП Hiper HPU4M670 - 670W
Windows XP Pro SP2
Здесь надо сказать несколько слов о таймингах памяти.
На видеокартах серии 1950 динамическое изменение таймингов. Это означает, что при поднятии частоты памяти, автоматически увеличиваются и тайминги. На практике это приводит к уменьшению производительности при, казалось бы, высокой частоте памяти.
На картинке ниже тайминги памяти при частоте памяти 1188 МГц
А здесь тайминги памяти при частоте 1444 МГц
Так как я столкнулся с этим впервые, то ничего лучшего, чем поднятие частоты и затем корректирование таймингов в программе RaBit 2.2.1. в режиме "Real-time", я поначалу не придумал.
Затем в ветке по данной видеокарте наткнулся на указанный одним из участников ветки способ - настройка с помощью программы Rivatuner.
При выставлении параметров, как указано на картинке, тайминги не увеличиваются при поднятии частоты памяти.
Далее, наконец-то разобравшись с динамическими таймингами, я провел тестирование в ЗД марках.
В тестах 3DMark вольтмод позволил выставить частоты 735 МГц / 1620 МГц, с напряжениями 1,57 В и 2,05 В соответственно.
Итоговые результаты получились следующие.
3DMark 01 -
54503 - WR
3DMark 03 -
22835 - WR
3DMark 05 -
13217 - WR
3DMark 06 -
6626 - WR
Причем, самое интересное - результаты оказались выше не только лучших на 1950GT, но и выше мировых рекордов на 1950PRO.
Вывод. Выводы думается можно сделать самим, тем более, что данная видеокарта недавно тестировалась в лаборатории в сравнении с 8600GT, где показала себя очень и очень неплохо.
__________________________________________________
Замечания, дополнения?