«Стараниями» Intel стандарт памяти DDR4 постепенно начинает занимать свою долю рынка. Сейчас это платформа LGA 2011-3 и модельный ряд Haswell-E, в ближайшее время их заменят LGA 1151 и процессоры Skylake. Разумеется, производители оперативной памяти рады такому развитию событий, ибо это очередной повод заявить о себе.
Далее речь пойдет о весьма известном производителе памяти G.Skill и об одном из наиболее оверклокерских комплектов производителя – Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR. Штатные частота 3 ГГц и тайминги 15-15-15-35… Но удастся ли «выжать» из микросхем памяти больше или весь их потенциал уже исчерпан с завода?
Перед тем, как приступить непосредственно к поиску рабочих частот и таймингов, кратко познакомимся с рассматриваемым комплектом.
Комплект памяти не изобилует кучей различных коробок и упакован в сравнительно простом и компактном пластиковом контейнере, едином для всех четырех модулей.
Особенно мне понравилась его компоновка – с попарным расположением планок на каждой из сторон упаковки, благодаря чему дополнительно экономится место.
На самой картонке, которая отделяет два «отсека» с модулями, приведен маркетинговый текст, рассказывающий о преимуществах продукции G.Skill. Из полезной информации тут можно увидеть белую наклейку, где приведены основные технические характеристики.
Если же абстрагироваться от рекламных текстов производителя, то отдельно отмечу прочность упаковки – скручиванию или изгибу она сопротивляется очень хорошо, что должно способствовать безопасной транспортировке. Повредить модули в упаковке можно разве что намеренно, приложив немалое усилие.
С обеих сторон планки заключены в металлические «доспехи», которые скорее играют декоративную роль, нежели реально помогают охлаждению: даже комплекты DDR3 в хорошем разгоне редко требуют дополнительного охлаждения, что уж говорить об изначально более энергосберегающих модулях DDR4. С другой стороны, производитель должен показать потенциальному покупателю то, за что он платит деньги, поэтому применение радиаторов в некотором роде является необходимостью, ведь иначе не купят
К чести производителя, теплорассеиватели не отличаются выдающимися размерами в высоту, и конфликтовать с процессорными кулерами не должны.
Что касается оформления, используются темно-красные тона, что должно неплохо сочетаться с материнскими платами игровых серий, таких как ASUS ROG, ASRock Fatal1ty или MSI Gaming. Отмечу, что дополнительно на каждом из модулей присутствует наклейка, где продублированы основные технические характеристики (рассказывающие о том, что это комплект емкостью 4 х 4 Гбайта, с рабочей частотой 3000 МГц, формулой таймингов 15-15-15-35 и рабочим напряжением 1.35 В).
Крепятся радиаторы при помощи липких термопрокладок с обеих сторон планки. Кроме того, они дополнительно скреплены при помощи замков в верхней части гребня.
Снимаются радиаторы без каких-либо проблем, отверткой размыкаются замки, затем они слегка расцепляются вдоль гребня, после чего равномерно отрываются увеличивающимся усилием, оголяя непосредственно текстолит и микросхемы памяти.
По фотографии выше можно отметить, что производитель перемаркировал микросхемы, и на них красуется гордая надпись G.Skill. Если верить программному обеспечению Thaiphoon Burner, то здесь применена продукция Hynix H5AN4G8NMFR-TFC, а для интересующихся прикладываю полный дамп SPD модулей.
Приведу скриншот с характеристиками планок памяти и списком штатных режимов работы.
Снимать второй радиатор нет смысла, ибо модуль односторонний, и кроме голого текстолита ничего там не увидим. В то же время он зафиксирован явно сильнее первого, из-за большего пятна контакта радиатора с платой. Так что пришло время собрать модуль памяти обратно и перейти непосредственно к изучению возможностей разгона.
Тестирование комплекта памяти G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR проводилось в составе следующей конфигурации:
Операционная система:
В данной части статьи мы ознакомимся с поведением модулей памяти при разгоне. Для проверки были выбраны режимы работы CL12, CL13, CL14 и CL15. Напряжение питания памяти во время тестов выставлялось в диапазоне 1.2-1.35 В с шагом 0.05 В, при этом надо отметить, что стендовая материнская плата ASUS Sabertooth X99 отличается склонностью к завышению напряжения питания на 0.03 В, что при сопоставлении результатов на других системных платах стоит учитывать.
В качестве теста на стабильность использовалось десятиминутное прохождение Prime95 28.5 в режиме Blend.
Начать было решено со сравнительно агрессивных для памяти DDR4 таймингов, а именно с 12-12-12-35.
Несмотря на то, что шаг изменения напряжения взят довольно малый, память на его изменение реагирует вполне бодро, особенно в диапазоне 1.2-1.3 В, а вот при превышении отметки 1.3 В частоты растут уже не так сильно. Судя по первым результатам, высоких напряжений данный комплект памяти не любит или не требует.
После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, было решено попробовать поодиночке понизить каждый из них. Результаты оказались следующими:
Дальнейшие эксперименты проводились при формуле таймингов 12-11-12-35, стабильности удалось достичь при частоте 2530 МГц (при напряжении 1.35 В). Итого, уменьшение tRCD на единицу снизило частотный потенциал комплекта на 60 МГц.
Последней проверкой была попытка найти минимальное стабильное значение TRAS. Им оказалась отметка 23. Достигнутые результаты: DDR4-2590 12-12-12-23 и DDR4-2530 12-11-12-23.
С разгоном памяти при CL12 разобрались, пора ослабить тайминги до 13-13-13-35, и повторить эксперимент.
Расслабление таймингов позволило поднять частотный потенциал памяти в среднем на ~200 МГц, независимо от используемого напряжения. Поведение модулей осталось полностью идентичным: есть большой отклик на увеличение напряжения в диапазоне 1.2-1.3 В, в то время как увеличение напряжения до 1.35 В хоть и приносит пользу, но разница в результатах не принципиальна.
Отмечу, что уже при таком сравнительно агрессивном режиме таймингов (задержки -2 от тех, что предлагает производитель) достигнута отметка в 2800 МГц, что является максимальным рабочим коэффициентом умножения на стендовой материнской плате при использовании CPU Strap 100 МГц.
После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения.
Поведение комплекта памяти осталось тем же, что и при предыдущих экспериментах, из таймингов на попытки снижения отвечает только tRCD. Стабильности удалось достичь при частоте 2730 МГц, то есть потеря от установки tRCD-1 составила 75 МГц.
При попытке максимально снизить TRAS удалось достичь отметки 14 (14, Карл!), что, на мой взгляд, весьма странно. Вероятно, система просто игнорирует выставленное значение. Итого, достигнутые результаты: DDR4-2805 13-13-13-14 и DDR4-2730 13-12-13-14.
Продолжаем двигаться вверх по частотам, ослабляя тайминги. Пришло время проверить разгон при 14-14-14-35 и повторить эксперимент.
В сравнении с предыдущими режимами поведение комплекта памяти слегка изменилось, улучшился отклик на установленное напряжение питания. И если при 1.2 В прирост разгона оказался хуже, чем при переходе от CL12 к CL13 таймингам, то при 1.35 В ситуация обратная, наибольший прирост частот наблюдается именно при переходе от CL13 к CL14.
В первую очередь стоит отметить, что при своем штатном напряжении комплект памяти смог «осилить» работу при штатной частоте и сниженных на единицу основных таймингах, что уже неплохо. А во вторую – достижение частот свыше 3 ГГц тяжело дается уже процессору – напряжение SA приходится поднимать вплоть до отметок +0.25 В от штатного.
После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения, итого:
Напрашивается мысль, что чем выше частота работы памяти, тем труднее становится удерживать значение tRCD в положении -1, ибо если в предыдущих режимах наблюдались просто ошибки при нагрузке (причем на CL13 таймингах ошибки проявлялись раньше), то здесь уже возникла проблема с загрузкой операционной системы. Стабильности удалось достичь лишь на отметке в 2920 МГц.
Повторилось поведение системы при попытке снижения TRAS – система сохранила стабильность при установке TRAS 14. Достигнутые результаты: DDR4-3040 14-14-14-14 и DDR4-2920 14-13-14-14.
Вот и пришло время проверить потенциал памяти при штатной формуле таймингов 15-15-15-35.
В целом, комплект памяти не изменил своего поведения, а сторонним ограничителем результатов стал контроллер памяти, встроенный в процессор – для достижения частоты 3160 МГц приходится устанавливать напряжение SA на уровень +0.39-0.4 В, а превышение данной отметки материнская плата подсвечивает как уже небезопасные значения. Опираясь на предыдущие результаты, можно предположить, что истинный потенциал комплекта памяти при CL15 таймингах находится у отметки ~3220 МГц или около.
После того, как были получены результаты при «ровных» таймингах, был повторен эксперимент с попыткой выставить еще более агрессивные значения:
Что ж, для используемого комплекта памяти такое поведение уже вполне можно назвать привычным – он опять позволяет снизить лишь значение tRCD. Причем поскольку потенциал памяти по частоте в итоге ограничен извне, даже не пришлось сильно жертвовать частотами, стабильность была достигнута уже при 3141 МГц.
Повторилось поведение системы при попытке снижения TRAS – система сохранила стабильность при установке TRAS 14. Итого, достигнутые результаты: DDR4-3160 15-15-15-14 1.3 В и DDR4-3141 15-14-15-14 1.35 В.
Скриншот с итоговым результатом разгона:
Приведу итоговый график сравнения различных формул таймингов.
Вот и подошло к концу тестирование G.Skill Ripjaws 4 F4-3000C15Q-16GRR. Подводя краткие итоги, отмечу следующие особенности поведения комплекта памяти:
Из отдельных преимуществ комплекта памяти G.Skill Ripjaws 4 можно отметить прочную и компактную упаковку.
Камрад TerraRaptor сетует на необходимость обратить внимание на субтайминги, и в частности на значения RTL, а также на возможность микросхем Hynix работать с напряжениями 1.5-1.7 В при таймингах x-(x+2)-(x+3). Но проверка всего этого требует трудозатрат едва ли не больших, чем ушло на данный тест. Возможно, это станет темой отдельного исследования.
На этом, пожалуй, все.
Выражаем благодарность:
