Компания Samsung анонсировала инновационную технологию памяти под названием Selector-Only Memory (SOM), которая сочетает высокую скорость чтения и записи, аналогичную DRAM, с энергонезависимостью и возможностью масштабирования. Данный подход разработан с применением передовых методов компьютерного моделирования, что позволило значительно ускорить процесс создания SOM.
Технология Selector-Only Memory основывается на перекрёстной архитектуре, схожей с принципами работы памяти с изменением фазы и резистивной памяти (RRAM). В этих архитектурах используются массивы электродов, расположенные слоями. Обычно для адресации ячеек в таких схемах применяют транзистор-селектор или диод. Samsung выбрала новый подход, сосредоточив внимание на материалах на основе халькогенидов, что позволило интегрировать функции селектора и элемента памяти в одном устройстве.
Исследования компании сосредоточены на использовании халькогенидных материалов, которые обеспечивают стабильность и высокую производительность памяти. Проведя скрининг широкого спектра комбинаций, инженеры Samsung выбрали 18 оптимальных материалов из более чем 4000 возможных. Этот выбор был сделан на основе компьютерного моделирования Ab-initio, что позволило существенно улучшить ключевые параметры памяти, такие как дрейф порогового напряжения и размер окна памяти.
В ходе разработки SOM Samsung использовала сложные методы моделирования, что позволило выйти за рамки традиционных исследований. В отличие от предыдущих работ, которые ограничивались комбинациями халькогенидов Ge, As и Se, применяемых в пороговых переключателях OTS, компания расширила круг возможных вариантов за счёт моделирования соединений, обладающих лучшей термической стабильностью, надёжностью и энергоэффективностью. Это позволяет Samsung уверенно конкурировать на рынке энергонезависимой памяти с высокой скоростью.
Сотрудники исследовательского центра Samsung представят достижения по SOM на Международном собрании электронных приборов (IEDM), которое состоится с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско. На конференции также выступят специалисты из IMEC, которые обсудят теоретические аспекты работы селектора в SOM, включая такие атомные механизмы, как локальная перестройка атомных связей и атомная сегрегация, влияющие на пороговое напряжение памяти.