Компания Samsung анонсировала новое поколение чипов памяти UFS 5.0. В нём скорость чтения и записи данных выросла в два с лишним раза по сравнению со скоростями в стандарте UFS 4.1. Скорость последовательного чтения данных достигает 10,8 ГБ/с, тогда как скорость последовательной записи может составлять 9,5 ГБ/с.
По словам представителей Samsung, UFS 5.0 приносит невиданную прежде производительность уровня оперативной памяти LPDDR5X, где скорость последовательного чтения составляет примерно 10,6 ГБ/с. Подобное значение позволяет моделям искусственного интеллекта быстрее обрабатывать значительно более масштабные контекстные окна. Одновременно с этим Samsung сообщает о росте энергоэффективности на 40% благодаря инновациям вроде стробирования тактовых сигналов (clock gating) и технологии многоуровневого питания (multi-voltage).
Изображение: Gemini
Наконец, Samsung говорит о сверхкомпактном форм-факторе с размерами 7,5 x 13 x 0,9 мм, что на 16,7% меньше по сравнению с чипами прошлого поколения. Промышленное производство чипов памяти объёмом до 1 ТБ южнокорейский производитель планирует начать в последнем квартале 2026 года.
Чуть ранее инсайдер сообщил, что процессоры Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro и Snapdragon 8 Elite Gen 6 получат поддержку нового стандарта UFS 5.0 от Samsung. Это же может относиться к чипам Dimensity 9600 Pro от MediaTek и Samsung Exynos 2700.
