| Твердотельные накопители Silicon Power – нечастые гости в наших тестах, а виной тому суровые реалии политики компании: аппаратная платформа в ее моделях имеет уровень постоянства чуть ли не уровня смены сезонов года. Угнаться за таким, постоянно публикуя все новые и новые обзоры, просто нереально. Ну а пользователю, если он поставил себе задачу приобрести что-то конкретное, проще выбрать предложение какой-то другой компании – там хоть проще уследить за подменами. |
Обзор и тестирование SSD-накопителя Palit UVS объемом 480 Гбайт: читать, но не писать Palit известна видеокартами, однако не так давно в ее ассортименте возникли SSD, и еще одним игроком на рынке стало больше. Удивляться тут не приходится: развитие отрасли привело к уникальной ситуации – продажи ограничены лишь тем, сколько производители могут выпустить. Воспользуемся возможностью и познакомимся с моделью на новой флеш-памяти с вертикальной компоновкой ячеек (3D V-NAND). |
И все же совсем забывать про Silicon Power не стоит. Хотя бы с целью общего интереса. А потому благодаря нашему постоянному партнеру – компании Регард, мы помучаем парочку Silicon Power S55 2017-го года издания.
Впервые мы протестировали Silicon Power S55 в 2013-м году, и на тот момент это были готовые накопители Phison на базе контроллера Phison PS3108-S8 и 19 нм MLC NAND Toshiba.
Причем существовало два аппаратных варианта: в быстром использовалась память упаковки Toshiba, в более медленном (и явно более дешевом с точки зрения производства) – Toshiba упаковки PTI. В целом Silicon Power этот нюанс никак не указывала:
Так выглядели спецификации в 2013-м году. Про тип памяти еще ни слова, но на тот момент TLC в SSD-накопителях встречалась лишь у Samsung линейка Samsung 840 (еще без приставки «EVO» в названии).
Упоминание о TLC NAND появилось в 2015-м году, причем теперь речь пошла о применении типа памяти в зависимости от объема:
В 2016-м году слегка «переиграли» - 120 Гбайт также были переведены на TLC NAND.
При этом туда-сюда варьировались скоростные характеристики. И это не сопровождалось какими-либо предупреждениями или сменой кодировки, не говоря уже про смену модельного номера. Нет, Silicon Power попутно выпускала и новые модели SSD, причем аппаратные конфигурации постепенно «мигрировали» вверх по модельному ряду. Например, упомянутый Phison S8 и 19 нм MLC NAND Toshiba в итоге очутились в Silicon Power S80. Иначе говоря, все SSD Silicon Power не отличались стабильностью аппаратной платформы.
Именно платформы, а не только типов памяти – контроллеры менялись тоже весьма активно: за эти четыре года в Silicon Power S55, судя по отзывам счастливых (а часто и не очень счастливых) обладателей, перебывали Phison PS3108-S8, Phison PS3109-S9, SandForce SF-2281, Silicon Motion SM2246XT (SMI2246XT) и Phison PS3110-S10. В январе-феврале уже этого, 2017 года, в Silicon Power S55 стали обнаруживаться аппаратные конфигурации на базе контроллера Phison PS3111-S11.
Этакая игра в «угадайку» и лотерею «что же попадется на этот раз?»: то ли это будет экземпляр из складских запасов годовалой давности, то ли – наоборот совсем свежая партия, более новая относительно той, из которой твой друг только что купил свой экземпляр, и в которой SP опять переиграла аппаратную начинку.
На данный момент Silicon Power убрала мелкие объемы (32-60 Гбайт) и упоминание о MLC NAND вообще.
Впрочем, тот же известный онлайн-магазин Amazon уже давно в открытую предлагает своим клиентам самостоятельно выбрать желаемый тип памяти – TLC или MLC. А вот контроллер, к сожалению, выбрать нельзя. Хотя, наверное, стоило бы.
И получился бы этакий виртуальный конструктор «собери сам»: кому подешевле, пусть и ценой качества, а кому – часто и помногу перекидывать большие объемы данных.
Страница на сайте производителя: Silicon Power Slim S55.
Цены (на момент публикации):
Это когда-то давно накопителя Silicon Power S55 поставлялись в картонной коробке, при этом внутри они были вложены еще и в пластиковый блистер, а 7-мм Slim-версия еще комплектовалась утолщающей рамкой для установки накопителя в посадочное место для накопителей с высотой корпуса 9.5 мм. Ныне это все в прошлом: перед нами картонная подложка и форма из тонкого пластика.
Но вот то, что обнаружилось при распаковке, оказалось сюрпризом даже для меня: накопители брались оба одновременно и относятся к одной поставке, что видно даже из серийного номера – оба они датированы январем этого года.
Это не просто два разных объема, а вообще два разных накопителя. Оба они выполнены в форм-факторе 2.5" 7 мм, оснащены интерфейсом SATA3 и на них наклеена фирменная этикетка Silicon Power. На этом общности заканчиваются.
Под видом Silicon Power S55 120 Гбайт идет пластиковый корпус, по которому, вкупе с версией прошивки, с легкостью опознается относительно новая бюджетная платформа Marvell на базе «безбуферного» (DRAM-less) Marvell 88NV1120 и флеш-памяти с вертикальной компоновкой ячеек TLC 3D V-NAND производства Micron (три микросхемы Micron NW838 содержат по два кристалла плотностью 388 Гбит каждый). Привет GoodRAM CL100 – герою нашего обзора недельной давности. Все совпадает просто в точности.
А в Silicon Power S55 240 Гбайт с еще большей легкостью опознается Phison-PTI – крайне характерной нигде более не встречающейся конструкции металлический корпус на защелках. Из новых накопителей этого тандема нам знаком, например, Lite-ON MU3.
Но еще большим сюрпризом оказалось то, что внутри этого корпуса скрывалась аппаратная конфигурация, которую в бюджетном SSD в 2017-м году встретить весьма затруднительно.
Судя по заводской этикетке, в реальности накопитель был изготовлен еще год назад – в июне 2016 года. Четырехядерный NAND-контроллер Phison S10 в своей младшей четырехканальной модификации (S10C), оснащенный микросхемой буферной памяти DRAM Nanya NT5CC128M16IP-DI объемом 256 Мбайт и четыремя микросхемами Toshiba THGLF2G9J8LBATC.
Перед нами оказалась практически самая «заряженная» конфигурация, которая относится скорее к среднему сегменту, а никак не к бюджетному: полноценный NAND-контроллер и массив памяти из 32 кристаллов NAND, собранных в четыре канала с восьмикратным чередованием.
Стоит напомнить, что пользовательский объем традиционно указывается в десятичной системе (используется 1 Гбайт равный 1 000 000 000, а не 1 073 741 824 байт), а потому в реальности пользователю доступно лишь 111.79 и 223.57 Гбайт. Оставшимся объемом микропрограмма контроллера оперирует в служебных целях: для выравнивания износа, в качестве резервного пула для замены вышедших из строя ячеек памяти, хранения контрольных сумм и прочего.
В комплекте с GoodRAM CL100 прилагалась листовка с предупреждением, что накопитель несовместим с материнскими платами на базе наборов системной логики Nvidia MCP79/MCP89K, что обусловлено особенностями контроллера Marvell. У Silicon Power S55 120 Гбайт такого предупреждения не имеется, что, впрочем, логично: при таких играх с изменениями начинки уследить за полнотой информации для потребителя довольно сложно.
У образца на 120 Гбайт доступно 27 параметров SMART – это единственное отличие от GoodRAM CL100, где считывается только 24 параметра.
Присутствует учет количества циклов включения/выключения (0С), количество небезопасных отключений питания (С0), объем записанных и прочитанных по интерфейсу SATA данных (F1 и F2 соответственно, учет в гигабайтах). Температурный мониторинг рабочий.
Референс Phison в это отношении беднее: параметров SMART лишь 11.
Но все вышеперечисленное – в наличии. Единственно, температурный мониторинг нерабочий – отображаемые 30 °С являются «программной заглушкой». Зато наличествует счетчик предположительно оставшегося ресурса E7, считаемого в процентах от 100 по убывающей к нулю.
Максимальная температура, которую удалось зафиксировать по показаниям встроенного мониторинга, составила 50° C (для тестов второго накопителя пришлось воспользоваться пирометром и производить замеры в разобранном виде).
С помощью CrystalDiskMark (64bit) 3.0.3 в режиме случайных данных производится замер производительности четыре раза:
Таким образом, мы можем узнать, насколько хорошо микропрограмма накопителя справляется с задачей поддержания уровня быстродействия на небольшом объеме одномоментно записываемых и прочитываемых данных – для эксплуатации в бытовых условиях этого достаточно.
Затем производится полная очистка накопителя и запускается тест AIDA64 Disk Benchmark в режиме «Write» (размер блока установлен равным 1 Мбайт) – данный тест производит линейную запись всего объема носителя, попутно выводя информацию о процессе записи в виде удобного графика. Этот тест позволяет нам увидеть, насколько в целом накопитель стабилен, не возникает ли перегрев и какие, возможно, алгоритмы «ускоренной записи» реализованы в микропрограмме.
И в заключение, после подачи команды TRIM на весь объем накопителя, производится тестирование с помощью Iometer:
С поддержанием быстродействия под нагрузками у накопителей все относительно неплохо, хотя модификация на 120 Гбайт восстанавливается не полностью.
Ровно также как и в протестированном нами ранее GoodRAM CL100, в образце Silicon Power S55 на 120 Гбайт лежит массив TLC NAND. А в прошивке контроллера имеется реализация алгоритма «ускоренной» записи (другое название – SLC-режим), под который выделяется порядка двух с половиной процентов объема (около 3 Гбайт). На небольших объемах одновременной записи достигается скорость порядка 400 Мбайт/с, а по исчерпании SLC-буфера скорость падает до примерно 75 Мбайт/с. Оба скоростных показателя немногим больше, чем мы видели у GoodRAM CL100 120 Гбайт, что может объясняться несколько разным («плавающим») качеством микросхем флеш-памяти.
Под видом Silicon Power S55 к нам попал референс Phison и его поведение совершенно иное: никаких SLC-режимов тут нет и скорость записи тут устойчивая, причем даже выше, чем у референса Marvell в SLC-режиме.
Реальное копирование файлов соответствует тому, что мы увидели в AIDA64.
Непрерывная мелкоблочная запись с большой глубиной очереди запросов, да еще при отсутствии TRIM – тип нагрузки, нехарактерный для домашних ПК, но он иллюстрирует то, насколько производительна и стабильна в показателях использованная в тестируемых накопителях аппаратная платформа в целом.
Именно на мелкоблочной случайной нагрузке проявляется слабость «безбуферных» контроллеров: разброс показателей моментальной производительности очень серьезный, по факту каждые несколько секунд скорость накопителя падает почти до нуля. В прямом смысле слова: накопитель «залипает» и в течение двух-пяти секунд может вообще никак не реагировать на обращения со стороны системы. Таков образец Silicon Power S55 на 120 Гбайт.
Оказавшийся в Silicon Power S55 на 240 Гбайт референс Phison S10 с полноценным буфером – это совсем иное: скорость записи ровная, никаких «залипаний».
Оба накопителя получили реализацию алгоритмов автономной «сборки мусора» (GС), работающей независимо от поступления команды TRIM. Но если в референсе Marvell объем данных, принимаемых на полной скорости, соответствует SLC-режиму, то референс Phison ведет себя совершенно иначе, но в целом принимает даже чуть больше больше, нежели Marvell.
Отнюдь не во всех «десктопных» материнских платах реализована поддержка команды DIPM, переводящей накопитель в режим «глубокого сна», в результате чего его энергопотребление падает до крайне низких значений. В относительных величинах разница может впечатлять: до пяти-семи раз, однако в фактическом отношении речь идет о значениях около одного ватта и менее. Последнее для обычного настольного ПК не играет никакой роли. Но в то же время твердотельные накопители часто ставят в ноутбуки, и вопрос поддержки этой команды в конкретных моделях интересует пользователей во вполне практическом свете: режим DevSleep, в который переходит SSD с активной поддержкой DIPM, позволяет добавить к автономной работе лишних пять-десять минут, что иногда бывает критичным. В процессе тестирования используются две материнских платы: ASRock Z270M-ITX/ac, не поддерживающая DIPM, и Zotac Z77-ITX WiFi (Z77ITX-A-E), где необходимая поддержка реализована. Это оказалось несколько проще, чем искать системную плату с нужными характеристиками «в одном». А во избежание повреждения процессорного сокета материнской платы (как известно, процессорный разъем типа LGA довольно хрупок и рассчитан на достаточно ограниченное число переустановок ЦП) было решено собрать две практически полноценных тестовых конфигурации: материнские платы прямо в сборе с процессором, оперативной памятью и прочим просто переставляются на стенде по мере необходимости. Общим остался только блок питания – Corsair HX750W мощностью 750 Ватт. |
Обновляем стенд для тестирования SSD-накопителей: Intel Z77 против Intel Z170, Windows 7 против Windows 10, а также различия между объемами ОЗУ Лаборатория уже долгое время тестирует SSD. Накоплена огромная база результатов, и любое изменение конфигурации может сыграть злую шутку в плане сопоставления разных моделей. Но время идет, и прогресс не стоит на месте. С учетом выхода новых платформ и ОС необходимо полное обновление стенда. Но насколько сильно изменятся результаты производительности твердотельных накопителей? |
Конфигурация №1: тестирование работоспособности энергосберегающего режима DevSleep
Конфигурация №2: тестирование производительности:
Программное обеспечение:
Глобальные настройки операционной системы:
В качестве тестового программного обеспечения используются:
Операции с реальными файлами (все операции – в пределах тестируемого носителя):
Тяжка судьба обозревателя, занятого серийным тестированием моделей SSD. Но не менее тяжела она у того, кто интересуется твердотельными накопителями на серьезной основе, а не по принципу «Ага, бренд! Заверните два!». Проблема заключается в том, что производители, пользуясь невысоким уровнем знаний некоторых пользователей, а также тем, что корпуса накопителей непрозрачные и опломбированы, могут под крышку своего продукта помещать что угодно. Да, сначала идет самое лучшее, затем же, когда пройдет волна обзоров и наберется некоторая масса положительных отзывов, в ход начинает идти что-то более дешевое. А иногда одна и та же модель изначально идет в различных вариациях. Кому-то из пользователей это без разницы, а кого-то – интересует вопрос, за что же он уплатил деньги?
Кто-то начинает тестировать свежекупленное устройство и затем сравнивать полученные результаты с теми, что он видит в обзорах. И могут возникать вполне закономерные вопросы: «А почему мой SSD показывает меньший/больший уровень производительности, чем в обзоре?» Да, причина разницы может крыться и в некорректно настроенном ПК (например, в фоне работают приложения вроде антивируса), не совсем удачном микрокоде BIOS материнской платы (пример выше – тестовая плата Zotac) и изначально невысоком уровне производительности системы. Например, контроллер SATA 6 Гбит/с в наборах системной логики AMD даже в самых новых A88X и A78 ненамного, но слабее, чем в уже не самом «свежем» Intel Z77.
А тут еще и игры производителей с начинкой твердотельных накопителей. Особенно вопрос разности устройства касается платформы SandForce: особенность ее такова, что в ней нет одной-двух-трех (и так далее, то есть ограниченного числа) конфигураций контроллера и флеш-памяти. Общее число конфигураций у этой платформы на сегодняшний день таково, что их нумерация уже преодолела значение в 33 000 (не опечатка, именно тридцать три тысячи). Некоторые компании и вовсе не чураются полной замены «начинки» на другую. В итоге одного названия накопителя для полноценного сравнения недостаточно, нужно знать конкретную аппаратную конфигурацию, на которой построен данный образец.
Разберем графики на примере.
В скобках указывается:
В случае если какие-то данные отсутствуют или есть сомнения в достоверности (например, непонятен упаковщик микросхем памяти), стоит знак вопроса («?»). Это значит, что они мною не были зафиксированы или же были утеряны. В основном это касается идентификаторов SandForce – даже не предполагалось, что накопленная статистика постепенно разрастется до масштабов нескольких сотен моделей. И данные эти мы уже никогда не узнаем, ибо выловить ту же конфигурацию сложно, а спустя год-полтора – и вовсе невозможно.
Данный тест был включен в нашу методику тестирования совсем недавно и его подробное описание приводится в соответствующем материале «Обзор и тестирование SSD-накопителей: обновляем методику». К сожалению, у нас нет возможности провести комплекс тестов для всех исследованных ранее SSD-накопителей, поэтому ассортимент решений на диаграммах будет отличаться от остальных графиков. Тут приходится выбирать из того, что есть.
Данный бенчмарк включает набор специализированных тестов дисковой подсистемы, воспроизводящих реальные ситуации при работе различных приложений. Каждый тест – это своего рода сценарий-трасса работы конкретного приложения, причем воспроизведена не «тупо» нагрузка, а реальная схема работы, когда приложение обрабатывает данные, затем пишет их на диск, считывает что-то другое, необходимое для работы, обрабатывает, прекратив любые операции с носителем, а потом снова начинает действия по чтению/записи.
Итогом такого тестирования является общий индекс производительности, высчитываемый по достаточно непростой формуле, и конкретные показатели скорости в мегабайтах в секунду. Необходимо помнить, что численные показатели учитывают и вышеуказанные паузы, поэтому итоговое значение в мегабайтах в секунду будет небольшим в численном выражении.
ScoreДанный бенчмарк позволяет увидеть скорость операций с файлами внутри одного носителя. Использовалась версия 1.7.4739.38088. Данный тест может проявлять зависимость от количества оперативной памяти в системе.
ISOЭто уже больше синтетический бенчмарк, который полезен тем, что позволяет проводить тестирование в двух режимах. Первый – хорошо поддающийся компрессии поток однотипных данных, второй – поток случайных данных, практически не поддающийся сжатию. Соответственно, итоговый результат в обоих случаях будет очень близок к максимально возможным показателям тестируемого носителя.
Режим тестирования случайными данными, не подвергаемых компрессии
На накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти линейных проходов чтения.
Последовательное чтение Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов чтения случайным доступом блоками 512 Кбайт. Глубина очереди запросов – 1.
Чтение блоками по 512 Кбайт, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов чтения случайным доступом блоками 4 Кбайт. Глубина очереди запросов – 1.
Чтение блоками по 4 Кбайт, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов чтения случайным доступом блоками 4 Кбайт. Глубина очереди запросов – 32.
Чтение блоками по 4 Кбайт, глубина очереди запросов - 32, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти линейных проходов записи.
Последовательная запись, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов записи случайным доступом блоками 512 Кбайт. Глубина очереди запросов – 1.
Запись блоками по 512 Кбайт, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов записи случайным доступом блоками 4 Кбайт. Глубина очереди запросов – 1.
Запись блоками по 4 Кбайт, Мбайт/сНа накопитель записывается файл размером 1000 Мбайт, состоящий из случайных практически не поддающихся компрессии данных. Результат теста – среднее значение по итогам пяти проходов записи случайным доступом блоками 4 Кбайт. Глубина очереди запросов – 32.
Запись блоками по 4 Кбайт, глубина очереди запросов – 32, Мбайт/сСостоялся переезд не только на новую конфигурацию тестового стенда, но и новую операционную систему. И с этим переездом возникла проблема в данном наборе тестов: используемая ранее программа TeraCopy в среде Windows 10 показывала неадекватные результаты. Поэтому было решено отказаться от нее.
Отныне тесты на копирование групп файлов будут выполняться силами самой операционной системы. Для этого был написан командный файл, который в автоматическом режиме копирует файлы и фиксирует время, затраченное на выполнение операции, делая минутную паузу между заданиями (для того, чтобы накопители с реализацией SLC-режима могли произвести консолидацию данных и подготовить чистые страницы флеш-памяти – так, как это происходит в реальной эксплуатации). Перед выполнением теста производится дополнительная операция копирования с целью заполнения дискового кэша и минимизации его влияния на результаты тестов.
Довольно важным атрибутом быстродействия является время доступа к данным. Стоит понимать, что современные SSD накопители в этом плане достигли уже таких значений, что этот вопрос будет носить скорее академический интерес. Среднее время доступа при операциях чтения и записи было получено в результате тестирования AS SSD Benchmark версии 1.7.4739.38088.
Случайное чтение, мсПроцесс тестирования происходит в четырех ситуациях:
Прошу обратить внимание: тестируются линейные чтение и запись. В реальности на практике операции чтения и записи весьма редко бывают линейными, поэтому потребление будет «скакать» в промежутках «чтение – поиск данных – запись». Но в целом соотношение между накопителями по уровню энергопотребления останется практически неизменным. Поэтому на показатели, приведенные в таблице, вполне можно ориентироваться.
Но не следует забывать про скоростные характеристики: накопитель A со скоростью 40 Мбайт/с на записи одного мегабайта данных при энергопотреблении 1 Ватт является более экономичным, чем накопитель Б при скорости 30 Мбайт/с и 0.9 Ватт.
Энергопотребление в простое, ВтПосле снятия нагрузки версия объемом 120 Гбайт проявляет внутреннюю активность в течение примерно 25 секунд. Реакции на DIPM не фиксируется. Типичное поведение референса на Marvell 88NV1120 в текущей конфигурации.
Модификация на 240 Гбайт на команду DIPM реагирует: накопитель уходит в режим «глубокого сна» (DevSleep), сила тока на разъеме SATA Power, судя по показаниям мультиметра, падает до 0.01 А.
Замечательно. Silicon Power продолжает жонглировать «начинкой» накопителей, выпускаемых под ее торговой маркой. Причем никак не задумываясь над тем, что она делает: DRAM-less NAND-контроллер + TLC 3D V-NAND и полноценный NAND-контроллер в сочетании с планарной MLC NAND. Эти конфигурации должны находиться на разных чашах весов с многократным перевесом в пользу последней. Silicon Power же свалила все воедино.
Некоторым оправданием Silicon Power будет только то, что сейчас S55 – один из самых дешевых SSD на рынке. Если подходить с этой точки зрения, заранее готовясь к «безбуферному» контроллеру с дешевой TLC, то в итоге случайно получить S10 с MLC будет, безусловно, приятно. Однако такой подход может сыграть злую шутку: кто даст гарантию, что завтра не появится на свет что-то еще более низкого уровня и не окажется в S55? Впрочем, почему «завтра»? На рынке уже присутствуют, например, конфигурации на Maxiotek MK8115.
Краткий итог: бюджетная лотерея, в которой может попасться что угодно – от буквально «затычки для SATA-порта» до «дайте еще два!».
Выражаем благодарность:
