На прошлой неделе прошла конференция SPIE Advanced Technology, которая посвящена вопросам литографического производства. Мероприятие посетил журналист сайта SemiWiki , который рассказал, какие темы обсуждали лидеры полупроводниковой отрасли.

На конференции выяснилось, что Intel, будучи одним из главных инициаторов перехода на кремниевые подложки типоразмера 450 миллиметров, работы в этом направлении решила приостановить. Судя по всему, 450-миллиметровые пластины не будут применяться в массовом производстве полупроводниковых решений в этом десятилетии – в качестве новой даты их внедрения называется 2023 год.

Также на конференции было затронуто немало вопросов, связанных с фотолитографией в глубоком ультрафиолете (EUV). Огромной проблемой в освоении EUV-литографии является создание источника света достаточной мощности – технология предполагает использование системы зеркал, проходя через которые луч теряет ощутимую часть энергии. В плане развития ASML, производящей соответствующие литографические установки, иллюстрируется огромный рост мощности источника в течение ближайших десяти лет, но этого пока недостаточно. TSMC, которая использует EUV-установки ASML, также отмечает ненадёжность источников. В целом, букет проблем технологий EUV включает слабые и ненадёжные источники, в создании которых ощутимого прогресса пока не намечается, а также дефекты фотошаблонов.

Зато в отношении литографии с множественным формированием рисунка в сочетании с другими методами наблюдается оптимизм. Производители верят, что эти технологии позволят создавать схемы с 10-, 7- или даже 5-нм топологическими нормами. На конференции обсуждались также и довольно экзотические технологии, но от массового производства они пока слишком далеки.