На прошлой неделе прошла конференция SPIE Advanced Technology, которая посвящена вопросам литографического производства. Мероприятие посетил журналист сайта SemiWiki, который рассказал, какие темы обсуждали лидеры полупроводниковой отрасли.
На конференции выяснилось, что Intel, будучи одним из главных инициаторов перехода на кремниевые подложки типоразмера 450 миллиметров, работы в этом направлении решила приостановить. Судя по всему, 450-миллиметровые пластины не будут применяться в массовом производстве полупроводниковых решений в этом десятилетии – в качестве новой даты их внедрения называется 2023 год.
Также на конференции было затронуто немало вопросов, связанных с фотолитографией в глубоком ультрафиолете (EUV). Огромной проблемой в освоении EUV-литографии является создание источника света достаточной мощности – технология предполагает использование системы зеркал, проходя через которые луч теряет ощутимую часть энергии. В плане развития ASML, производящей соответствующие литографические установки, иллюстрируется огромный рост мощности источника в течение ближайших десяти лет, но этого пока недостаточно. TSMC, которая использует EUV-установки ASML, также отмечает ненадёжность источников. В целом, букет проблем технологий EUV включает слабые и ненадёжные источники, в создании которых ощутимого прогресса пока не намечается, а также дефекты фотошаблонов.
Зато в отношении литографии с множественным формированием рисунка в сочетании с другими методами наблюдается оптимизм. Производители верят, что эти технологии позволят создавать схемы с 10-, 7- или даже 5-нм топологическими нормами. На конференции обсуждались также и довольно экзотические технологии, но от массового производства они пока слишком далеки.
