Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Всё своё ношу с собой.

реклама

В пятницу вечером европейское представительство компании Toshiba разослало пресс-релиз , в котором сообщило о расширении линейки одноуровневой флэш-памяти NAND SLC микросхемами с 24-нм нормами производства. Но это не обычные NAND SLC, а так называемая память BENAND, которая имеет свои особенности.

Напомним, контроллер флэш-памяти имеет сложный механизм коррекции ошибок. Ячейки изнашиваются от операций стирания, поэтому удержать износостойкость на приемлемом уровне можно только с помощью хитрых механизмов и благодаря повышению разрядности ECC. Так, для 40-нм SLC NAND требуется 1-разрядный механизм коррекции ошибок (ECC), для модуля 30 нм SLC NAND — 4-разрядный, а для модуля 20 нм SLC NAND — 8-разрядный. Понятно, что переход на память с меньшими нормами производства требует нового контроллера SSD, либо износостойкость будет снижена. Чтобы сохранить старый контроллер и упростить переход на память с меньшими нормами техпроцесса, Toshiba предложила память BENAND, которая представляет собой NAND SLC со встроенным блоком ECC. Теперь коррекцией ошибок занимается каждая микросхема памяти, а не контроллер.

реклама

Новая память NAND SLC (BENAND) выполнена с использованием 24-нм норм вместо прежних 40-нм. Это заметно снизит себестоимость продукции без ухудшения её характеристик. Новые приборы выпускаются в корпусах TSOP и BGA и имеют ёмкость 8 Гбит.

Написать комментарий (0)

Сейчас обсуждают