Руководство фирмы Micron объявило о доступности ранних инженерных образцов третьего поколения памяти DRAM с пониженной латентностью (RLDRAM 3). По словам инженеров этой фирмы, такая память послужит идеальным выбором при использовании в 40 и 100-гигабитных сетях, для буферизации пакетированных данных, а также хранения поисковых и проверочных таблиц.

Память RLDRAM 3 обеспечивает скорость обмена данными до 2133 мегабита в секунду, со скоростью доступа менее 10 наносекунд – самой низкой из реально задействованных в промышленности, по словам инженеров Micron. Уровень энергоэффективности памяти достаточно высок, по словам представителей компании. Появление подобной памяти является ответным ходом электронной индустрии на возрастающие потребности пользователей в скорости работы информационных сетей. Производство RLDRAM 3 начнётся во второй половине 2011 года.