Компании IBM уже удалось создать транзисторы, способные работать на частоте 300 ГГц при комнатной температуре. Эти транзисторы были созданы из кремния с добавлением германия, данное сочетание материалов (SiGe) считается в полупроводниковой промышленности одним из самых перспективных на сегодняшний день. В частности, AMD планирует использовать SiGe в своих процессорах, что поможет ей наращивать частотный потенциал в случае необходимости.

Как сообщает сайт PhysOrg, британским учёным удалось создать биполярный транзистор с добавлением фтора, который способен работать на частоте 110 ГГц. Биполярные транзисторы используются при создании микропроцессоров для мобильных телефонов и различных беспроводных устройств. Новый тип транзистора превосходит существующие образцы по скорости переключения в два раза. Такого эффекта удалось добиться именно за счёт применения соединений фтора.

Фтор используется для уменьшения степени диффузии бора в базе транзистора, что делает её более узкой, позволяя электронам проходить через транзистор на более высокой скорости. Руководитель проекта, профессор Питер Эшбёрн (Peter Ashburn), пояснил, что данное достижение позволит производителям микроэлектроники достигать более высокого быстродействия при незначительных дополнительных затратах. Профессор надеется, что степень диффузии бора удастся снизить ещё на 50%, открыв перспективы для дальнейшего повышения тактовой частоты. Возможно, фтор в этой технологии удастся заменить каким-то ещё более эффективным материалом.

Разработчики технологии утверждают, что подобное быстродействие транзисторов ранее достигалось только при использовании соединений кремния и германия. Очевидно, "фторосодержащие" транзисторы обойдутся дешевле, и найдут своё применение в микропроцессорной технике. Возможно, это открытие даст повод для размышления и компаниям, выпускающим центральные процессоры.