Corsair рассказывает о своей стратегии перехода на 25 нм память

Став "первопроходцем" в деле освоения 25нм твёрдотельной памяти, компания OCZ Technology навлекла на себя немало справедливой критики. Лишь после покупки обновлённых накопителей, которые внешне никак не выдавали наличие в них 25 нм микросхем памяти, потребители обнаружили, что память нового поколения "съедает" больше объёма для нужд резервирования, имеет более низкую скорость записи и потенциально более низкий физический ресурс. Компенсировать эти недостатки сниженной ценой одного гигабайта дискового пространства, по мнению большинства покупателей, невозможно.

Компания Corsair учла ошибки конкурента, и на страницах собственного блога уже начала готовить потребителей к предстоящему неизбежному переходу всех твёрдотельных накопителей на использование 25 нм памяти. Прежде всего, отличить новые накопители серии Force на базе 25 нм памяти, которые появятся в продаже в ближайшие два месяца, можно будет по суффиксу "A" в названии модели (F80A, например).

В тех случаях, когда применение 25 нм памяти повлечёт уменьшение полезного объёма, это будет отображено в названии модели - F115A, например, заменит собой основанную на 34 нм памяти модель F120. Заметим, что для моделей накопителей объёмом 40, 60, 80, 180 и 240 Гб потеря ёмкости не предусмотрена, но в случае с младшими моделями объёмом 40 и 60 Гб за это придётся расплачиваться более высокой стоимостью накопителей. Существенного снижения быстродействия при переходе на 25 нм память, по словам представителей Corsair, удастся избежать за счёт проведённой оптимизационной работы. Переход на 25 нм память будет осуществляться до конца марта, поэтому у желающих получить накопители Corsair на базе 34 нм памяти ещё есть время сделать покупку.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.3 из 5
голосов: 41

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают