Появление в продаже накопителей Intel Optane M.2 для ПК на памяти 3D XPoint позволила специалистам пристальнее рассмотреть, что это за зверь. Напомним, в Intel долго не признавались, на каком принципе работает данная память. Позже стало известно, что это память с изменением фазового состояния вещества, когда материал ячейки под воздействием нагрева током меняет своё состояние из аморфного (высокое сопротивление) в кристаллическое (низкое сопротивление) и обратно. Специалисты компании TechInsights приобрели 16-Гбайт модель Intel Optane M.2 и вскрыли микросхему 3D XPoint.
Чип памяти оказался с пятью металлическими слоями с размещением ячеек памяти между 4 и 5 слоями. Кстати, в Intel обещали начать выпуск памяти 3D XPoint с двухслойной версии, но на фотографии мы видим лишь один слой с ячейками памяти. В качестве материала рабочего слоя ячеек называется мышьяк с добавками халькогенида. Ячейки 3D XPoint довольно большой площади, но это болезнь любой памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory).
Измерено, что в составе 20-нм чипов 3D XPoint ёмкостью 16 Гбайт (не гигабит!) плотность памяти составляет 0,62 Гбит/мм2. Для сравнения, плотность памяти в микросхемах 3D NAND Toshiba/SanDisk и в 48-слойной памяти Samsung 3D NAND TLC равна 2,5 Гбит/мм2, а в 15-нм планарных NAND TLC Toshiba/SanDisk — 1,28 Гбит/мм2. Но по сравнению с плотностью размещения ячеек в микросхемах DRAM память 3D XPoint выигрывает кратно: в 4,5 раза по сравнению с 20-нм DRAM Micron и в 3,5 раза по сравнению с 18-нм DRAM Samsung. Очевидно, что 3D XPoint в виде модулей памяти, которые мы ждём в следующем году, даст толчок в развитии подсистем памяти серверных систем.
